[发明专利]一种化学镀钯液、其制备方法和其使用方法以及应用有效
| 申请号: | 201810764025.7 | 申请日: | 2018-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN108823554B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
| 发明(设计)人: | 苏星宇;黄明起;夏建文;刘强;陈元甫 | 申请(专利权)人: | 深圳市化讯半导体材料有限公司 |
| 主分类号: | C23C18/44 | 分类号: | C23C18/44 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
| 地址: | 518101 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 化学 镀钯液 制备 方法 使用方法 以及 应用 | ||
本发明提供了一种化学镀钯液、其制备方法和其使用方法以及应用,以化学镀钯液的总体积计,包括如下组分:钯离子0.5‑5g/L;还原剂1‑20g/L;其中,所述钯离子由硫酸四氨钯提供。本发明提供的化学镀钯液中的硫酸四氨钯为固体可溶性钯盐,钯以四氨合钯络合物形成存在,常温下以固体形式稳定保存,易于存储运输;并且与硫酸钯等其他钯盐相比,硫酸四氨钯具有较强的稳定性,解决了钯容易析出的问题。
技术领域
本发明属于表面处理技术领域,涉及一种化学镀钯液、其制备方法和其使用方法以及应用。
背景技术
在电子封装行业,包括晶圆级封装、IC载板、PCB及FPC等表面处理工艺中,上世纪80年代提出的化学镍金工艺,金形成的镀层具有良好的抗氧化性和导电性,镍作为阻挡层防止铜和金的互相扩散,但是化学镍金常出现漏镀、渗金、黑镍和金层发白的品质问题。
为解决上述问题,提出了化学镍钯金表面处理工艺,它是对化学镍金工艺的再发展,在化学镀镍层和浸金层之间加入化学镀钯层,很好的避免了化学浸金时对化学镀镍层的腐蚀;随着电子行业的飞速发展,21世纪化学镍钯金工艺因其优异的性能被再次提出并被重视;人们常说的化学镍钯金工艺中,化学镀钯分为置换型钯层和还原型钯层,置换型钯在进行化学镀钯时,钯层越厚,对镍层的腐蚀就越严重;而还原型钯是在直接沉积在镍表面,有效的防止了镍层的腐蚀并且得到的钯层密度比镍层更高;通常化学镍钯金工艺中,各镀层厚度为:镍层0.5μm、钯层0.1-0.2μm、金层0.07-0.2μm就能够达到良好的导电性能、耐腐蚀性能和抗摩擦性能,满足电子产品的要求,镍钯金层的厚度不仅直接影响其性能,又直接影响其制造成本。
现有的化学镍钯金工艺使用的钯源主要包括氯化钯、硫酸钯、二氯二氨钯、二氯四氨钯等,所使用的络合剂主要为乙二胺,氨水,氨基羧酸、氨基磺酸等。所使用的还原剂主要是次磷酸钠、甲酸、水合肼等;CN101228293A公开了一种镀液组成,包括氯化钯、二氯四氨钯等水溶性钯化合物的化学镀钯方法。CN106191825A公开了一种基于SO42-体系的置换-还原化学镀钯液,包括硫酸钯、柠檬酸三铵等的化学镀钯方法。现有技术主要使用氯化钯、氯化二氨钯、氯化四氨钯、硫酸钯等水溶性化合物作为主要钯盐,使用氯化钯、氯化二氨钯、氯化四氨钯等氯化物作为主盐,其储存及运输都必须是液态,不利用生产操作。此外,Cl-的存在还会导致裸露在环境中的电路板容易形成原电池而发生电化学腐蚀,且在电子封装工艺中Cl-的存在会可能造成漏电;而以硫酸钯作为主盐则存在稳定性差,Pd极易析出等问题。
目前需要开发一种新的化学镀钯液以满足应用要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种化学镀钯液、其制备方法和其使用方法以及应用。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一方面,本发明提供了一种化学镀钯液,以化学镀钯液的总体积计,包括如下组分:
钯离子 0.5-5g/L;
还原剂 1-20g/L;
其中,所述钯离子由硫酸四氨钯提供。
本发明提供的化学镀钯液通过自催化反应释放电子还原金属钯离子,使得钯能够选择性的在镍表层有序生长;本发明提供的化学镀钯液中的硫酸四氨钯为固体可溶性钯盐,钯以四氨合钯络合物形成存在,常温下以固体形式稳定保存,易于存储运输;并且与硫酸钯等其他钯盐相比,硫酸四氨钯具有较强的稳定性,解决了钯容易析出的问题。
在化学镀钯液中,所述钯离子的浓度为0.5-5g/L,例如1g/L、1.5g/L、2g/L、3g/L、4g/L等。
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