[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板；

层间绝缘层，形成在所述半导体基板的主面上，具有至少一个开口部；

至少一个电极，一部分形成在所述至少一个开口部的边缘上，其他部分在所述至少一个开口部内与所述半导体基板电连接；

无机保护层，具有内缘部以及外缘部，所述内缘部覆盖所述至少一个电极的边缘，所述内缘部以外形成在所述层间绝缘层上；以及

有机保护层，覆盖所述无机保护层，

所述无机保护层的所述内缘部以及所述外缘部的至少一者具有底切部，

所述底切部与所述有机保护层相接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述无机保护层的所述内缘部以及所述外缘部分别具有所述底切部。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述层间绝缘层由未掺杂石英玻璃构成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述至少一个电极由铝构成。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述无机保护层由氮化硅或氧化硅构成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述有机保护层由聚酰亚胺或聚苯并噁唑构成。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在与所述半导体基板的主面平行的方向上，所述底切部的进深为0.45μm以上1μm以下。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在与所述半导体基板的主面平行的方向上，所述无机保护层的所述内缘部的所述底切部的进深，比所述无机保护层的所述外缘部的所述底切部的进深大。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在与所述半导体基板的主面垂直的方向上，所述有机保护层的厚度为3μm以上10μm以下。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置是MOS-FET，

所述至少一个电极包括三个电极，

所述三个电极为两个源极电极以及一个栅极电极。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置是肖特基势垒二极管，

所述半导体装置包括一个所述电极。

12.一种半导体装置的制造方法，包括：

第1工序，准备半导体基板；

第2工序，在所述半导体基板上形成具有至少一个开口部的层间绝缘层；

第3工序，将至少一个电极的一部分形成在所述至少一个开口部的边缘上，并使其他部分与所述至少一个开口部内的所述半导体基板电连接；

第4工序，由具有内缘部以及外缘部的无机保护层的所述内缘部覆盖所述至少一个电极的边缘，将所述无机保护层的所述内缘部以外形成在所述层间绝缘层上；以及

第5工序，由有机保护层覆盖所述无机保护层，

在所述第4工序中，在所述至少一个电极以及形成在所述层间绝缘层上的无机保护层上形成抗蚀剂层，在通过进行蚀刻形成所述无机保护层时，在所述无机保护层的所述内缘部以及所述外缘部的至少一者形成底切部。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过在进行了各向异性蚀刻后进行各向同性蚀刻，从而形成所述底切部。

14.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过进行各向同性蚀刻，从而形成所述底切部。

15.根据权利要求13或14所述的半导体装置的制造方法，其中，

使用氟化碳气体以及氧气的混合气体来实施所述各向同性蚀刻。