[发明专利]一种三元复合图形衬底的制作方法在审
| 申请号： | 201810762724.8 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN108987541A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 许南发;刘蔚华;席庆男;王晓慧;郭文平 | 申请（专利权）人： | 山东元旭光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 杨筠 |
| 地址： | 261000 山东省潍坊市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 三元复合 制作 蓝宝石基板 二元图形 蓝宝石 半导体材料 发光二极管 光提取效率 材料应力 氮化镓基 规则排列 生长缺陷 有效释放 氮化铝 氮化镓 复合层 图形层 溅射 清洗 复合 | ||
1.一种三元复合图形衬底的制作方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
获取一清洗干净的蓝宝石基板；
在所述蓝宝石基板上制作一层有规则排列的图形层，形成二元图形衬底；
在形成的所述二元图形衬底上溅射一层氮化铝复合层，形成三元复合图形衬底。
2.根据权利要求1所述的三元复合图形衬底的制作方法，其特征在于，所述在所述蓝宝石基板上制作一层有规则排列的图形层，形成二元图形衬底的步骤具体包括下述步骤：
在选取的蓝宝石基板上涂覆一层高硅的光刻胶，并通过高温氧化将高硅的光刻胶转为二氧化硅层；
在所述二氧化硅层上涂覆一层光刻胶，将预先规则设计的掩膜版图形转移到涂覆的光刻胶层上，形成一层光刻掩膜图层；
去除没有光刻胶保护的所述二氧化硅层区域，对所述二氧化硅层进行图形刻蚀形成初步的图形化蓝宝石衬底；
在形成的初步的图形化蓝宝石衬底上去除多余的光刻胶；
对去除光刻胶后的图形化蓝宝石进行清洗，得到所述二元图形衬底。
3.根据权利要求2所述的三元复合图形衬底的制作方法，其特征在于，所述高硅光刻胶厚度100nm-5微米，高温氧化的温度在600-1200摄氏度。
4.根据权利要求1所述的三元复合图形衬底的制作方法，其特征在于，所述在所述蓝宝石基板上制作一层有规则排列的图形层，形成二元图形衬底的步骤具体包括下述步骤：
在选取的所述蓝宝石基板涂覆一层光刻胶，利用光刻技术，生成一层光刻掩膜图层；
在所述光刻掩膜图层和有图形的所述蓝宝石基板上填充一层低折射率的物质；
去除所述蓝宝石基板上涂覆的光刻胶，使所述低折射率的物质形成新的图形掩膜；
清洗形成的新的所述图形掩膜，生成所述二元图形衬底。
5.根据权利要求4所述的三元复合图形衬底的制作方法，其特征在于，所述低折射率的物质包括SiO2、SiNx和TiO。
6.根据权利要求1所述的三元复合图形衬底的制作方法，其特征在于，所述氮化铝复合层的厚度为10-500nm。
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