[发明专利]一种原生多晶硅料的清洗方法

权利要求书

1.一种原生多晶硅料的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在冰水浴中装配好反应槽1，反应槽1中配置重量比为4:1:1:1:1的氢氟酸、硝酸、硫酸、氯化锰、双氧水的混合溶液，搅拌下加入原生多晶硅料和1~2份硝酸钠的固体混合物，再分次加入6~10 份高锰酸钾、1~2份五氧化二磷，搅拌2min，酸液循环，浸泡10min，冷却30min，后送入反应槽2；(2)在纯水介质下25℃经旋转、溢流、鼓泡、快排，清洗2min后送入反应槽3；(3)在反应槽3，氢氟酸介质下，25℃搅拌清洗2~5min后，送入反应槽4；(4)纯水漂洗，旋转、溢流、鼓泡、快排，清洗1~2min，过滤送入反应槽5；(5)经反应槽5，过渡运输，纯水溢流漂洗硅料，水下横移，1~2min浸泡，溢流后送入反应槽6；(6)硅料超声波清洗，旋转、溢流、90℃超声波2min~3min，超声波：功率1800W，频率40KHz，硅料送至反应槽7；(7)90℃纯水漂洗，旋转、溢流、鼓泡、加热清洗40~60s 后送入反应槽8；(8)在氮气氛围下水切后送入反应槽9；(9)在氮气氛围下，旋转、真空烘干处理10min~15min，重复三次，干燥充分，冷却至室温，即得。

2.根据杈利要求1所述的一种原生多晶硅料的清洗方法，其特征在于，步骤(1)所述的硫酸为浓度为97~98%的电子级硫酸，所述的氯化锰的浓度为20~25%、所述的双氧水的浓度为23~25%。

3.根据权利要求1所述的一种原生多晶硅料的清洗方法，其特征在于步骤(1)中所述的硝酸是浓度为70~75%的电子级硝酸，所述的氢氟酸浓度为51~55%。

4.根据权利要求1所述的一种原生多晶硅料的清洗方法，其特征在于，步骤(1)所述的反应槽1，在10~40℃温控可调，副槽装有热交换器，用于稳定酸液温度；主槽符合冰水浴控制范围。