[发明专利]用于电源地的保护电路在审
| 申请号： | 201810761225.7 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN108695814A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 许海丽;曾国建;颛孙明明;余铿;程晓伟;杨彦辉;吉祥 | 申请（专利权）人： | 安徽锐能科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/00 | 分类号： | H02H3/00;B60L3/04 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;刘兵 |
| 地址： | 230000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 智能 电源地 电路 控制器模块 第一端 电源电路设计 接收控制信号 输出状态信号 输出端连接 控制模块 端接地 输出端 | ||
1.一种用于电源地的保护电路，其特征在于，所述保护电路包括：
智能MOSFET模块，所述智能MOSFET模块的第一端与所述电源地的输出端连接，所述智能MOSFET模块的第二端接地，所述智能MOSFET模块的第三端用于接收控制信号，所述智能MOSFET模块的第四端用于输出状态信号；
控制器模块，所述控制器模块的第一端与所述智能MOSFET模块的第三端连接，所述控制器模块的第二端与所述智能MOSFET模块的第四端连接；
所述智能MOSFET模块用于在检测到所述接地端输出的电平信号为低电平的情况下，通过所述智能MOSFET模块的第四端输出高电平，所述控制器模块在通过所述控制器模块的第二端接收到所述高电平的情况下，通过所述控制器模块的第一端输出高电平，所述智能MOSFET模块在通过所述智能MOSFET模块的第三端接收到高电平的情况下，导通所述智能MOSFET模块的第一端和所述智能MOSFET模块的第二端之间的连接以使得所述输出端接地；
所述智能MOSFET模块还用于在检测到所述接地端输出的电平信号为高电平的情况下，通过所述智能MOSFET模块的第四端输出低电平，所述控制器模块在通过所述控制器模块的第二端接收到所述低电平的情况下，通过所述控制器模块的第一端输出低电平，所述智能MOSFET模块在通过所述智能MOSFET模块的第三端接收到低电平的情况下，断开所述MOSFET模块的第一端和所述智能MOSFET模块的第二端之间的连接以使得所述输出端悬空。
2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述控制器模块的第一端和所述智能MOSFET模块的第三端之间串接有第一电阻。
3.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述控制器模块的第二端和所述智能MOSFET模块的第四端之间串接有第二电阻，所述第二电阻和所述智能MOSFET模块的第四端之间的节点通过第三电阻外接高电平信号。
4.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述智能MOSFET模块包括：
可控开关，所述可控开关的一端与所述输出端连接，所述可控开关的第二端接地；
栅极驱动器，所述栅极驱动器的第一端与所述输出端连接，所述栅极驱动器的第二端与所述可控开关的控制端连接，所述栅极驱动器的第二端还通过第四电阻与所述可控开关的另一端连接，所述栅极驱动器的第三端接地，所述栅极驱动器的第四端与所述智能MOSFET模块的第三端连接，所述栅极驱动器的第五端与所述智能MOSFET模块的第四端连接。
5.根据权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述栅极驱动器的第二端和所述可控开关的控制端之间串接有第五电阻。
6.根据权利要求5所述的保护电路，其特征在于，所述栅极驱动器的第一端与所述可控开关的一端之间的节点通过第一瞬态二极管与所述第五电阻和所述可控开关的控制端之间的节点连接。
7.根据权利要求5所述的保护电路，其特征在于，所述第五电阻与所述可控开关的控制端之间的节点通过第二瞬态二极管接地。
8.根据权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述可控开关包括场效应管。
9.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述智能MOSFET模块的第一端通过滤波电容接地。
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