[发明专利]InSb薄膜转移装置

说明书

本发明属于电子元器件技术领域，涉及一种InSb薄膜转移装置，包括依次连接的进样反转室、薄膜转移室以及伸缩压力装置；所述薄膜转移室内设有光学载台、位于所述光学载台之上的石英压块和驱动所述石英压块下压的第一气缸；所述进样反转室包括能够伸入所述薄膜转移室的传送杆、驱动所述传送杆的反转驱动电机、位于所述传送杆的内侧末端的受体吸附台以及可往所述薄膜转移室开启的隔离阀；所述伸缩压力装置包括水平的伸缩杆以及设于所述伸缩杆的末端的压力滚轮。本InSb薄膜转移装置能大大减少在生产过程中由于打开腔体和关闭腔体而造成环境破坏，降低重新建立环境的时间，如此便可以极大的缩减生产周期。

技术领域

本发明涉及电子元器件技术领域，特别涉及一种InSb薄膜转移装置。

背景技术

InSb薄膜是一种III-VI族化合物半导体薄膜,是目前电子迁移率最高的一种薄膜半导体材料,用该薄膜制做的InSb霍尔元件是磁敏传感元件中灵敏度最高的,也是磁敏传感元件中用量最大的一种。主要用于电脑、录像机、VCD、DVD、汽车、散热风扇等产品中的无刷直流电机上。具有较高电子迁移率和良好的磁阻特性的InSb薄膜已成为制作半导体磁阻型传感器的关键,同时InSb薄膜也同样被广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中，具有十分广阔的市场前景和发展潜力。

目前,InSb薄膜的转移的技术是在空气环境下将InSb薄膜贴敷到涂敷了粘附剂的载体上，并在薄膜上方施加重物压合，再通过热板或热烘箱的方式使其牢固从而实现转移的目的。此方法主要有以下几点缺陷：

1、普通的重物压合过程不能很好的控制压力的力量，而施加力量的大小对于薄膜转移质量至关重要。压力过大极易造成InSb薄膜破损或者受体材料的形变，较小的施压压力则会造成薄膜贴合不完全，转移效果不好，良率偏低的情况。

2、在空气环境中实施粘合及压合过程，非常容易造成贴合过程中气泡残留的问题，不能完全消除气泡的影响，如此将直接造成薄膜转移失败。

3、利用烘箱或者热板的加热方式来实施加热，过程温度控制精度低，并且温度变化范围较大，容易造成过温或者低温的情况，导致薄膜转移失败。

4、热板或烘箱的加热效率慢，耗费时间较长，两次薄膜转移过程需要耗费大量时间用以等待温度升高及稳定，无法实现大规模量产。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种InSb薄膜转移装置，能更好地进行薄膜转移，加快生产效率。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种InSb薄膜转移装置，包括依次连接的进样反转室、薄膜转移室以及伸缩压力装置；所述薄膜转移室内设有光学载台、位于所述光学载台之上的石英压块和驱动所述石英压块下压的第一气缸；所述进样反转室包括能够伸入所述薄膜转移室的传送杆、驱动所述传送杆的反转驱动电机、位于所述传送杆的内侧末端的受体吸附台以及可往所述薄膜转移室开启的隔离阀，所述受体吸附台用来将受体送上光学载台；所述伸缩压力装置包括水平的伸缩杆以及设于所述伸缩杆的末端的压力滚轮，所述压力滚轮用来将薄膜在受体上抹平。

具体的，所述薄膜转移室上设有抽真空口。

具体的，所述薄膜转移室内设有用来调整所述光学载台高度的第二气缸。

进一步的，所述第一气缸和第二气缸上均设有压力传感器。

具体的，所述石英压块通过连接关节设置于第一气缸的主轴上。

具体的，所述伸缩杆上设有用来调节所述压力滚轮高度的第三气缸。

具体的，所述光学载台内设有S型回转的加热丝以及位于所述光学载台中央的热电偶。

采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：