[发明专利]一种晶圆减薄砂轮及其制备方法

权利要求书

1.一种晶圆减薄砂轮，其特征在于，所述砂轮用于3D封装技术中的晶圆减薄，其包括如下体积份数的原料：金刚石12-18份，碳化硅3-7份，六方氮化硼2-5份，发泡剂6-10份，聚酰亚胺树脂35-45份，偶联剂2-5份；

金刚石粒径3-7μm，碳化硅粒径1-2.5μm，六方氮化硼粒径＜5μm，发泡剂粒径38-44μm，聚酰亚胺树脂粒径50-80μm；

发泡剂为热膨胀微球，偶联剂型号为Z-6040；

所述晶圆减薄砂轮的制备方法，包括如下步骤：

1）将表面进行热碱处理过的金刚石放入丙酮内进行搅拌超声，然后烘干；

2）将步骤1）中的原料与碳化硅、六方氮化硼混合过筛，然后加入丙酮和偶联剂，超声后烘干；

3）将步骤2）的物料与发泡剂、聚酰亚胺树脂混合过筛，然后放入混料桶内混料后备用；

4）将步骤3）的物料分两次投入模具进行热压成型，投入第一份物料，热压机压制后投入第二份物料再次进行压制，保压保温，降温后脱模；

5）步骤4）脱模后的环形砂轮按照图纸加工要求做成成品砂轮；

所述步骤4）的热压成型温度为180-250℃。

2.根据权利要求1所述晶圆减薄砂轮，其特征在于，所述聚酰亚胺树脂型号为TY0023，热膨胀微球型号为EMH204。

3.根据权利要求1所述晶圆减薄砂轮，其特征在于，步骤1）热碱处理温度为85-90℃。

4.根据权利要求1所述晶圆减薄砂轮，其特征在于，步骤2）和3）过100-200目筛。

5.根据权利要求1所述晶圆减薄砂轮，其特征在于，步骤4）中第一份物料为总物料的25%，热压机于1MPa定温180℃压制10min，投入剩余物料进行再次压制，于3MPa保压保温1h。

6.根据权利要求1所述晶圆减薄砂轮，其特征在于，包括如下体积份数的原料：金刚石16份，碳化硅5份，六方氮化硼4份，发泡剂EMH204 8份，聚酰亚胺树脂TY0023 40份，偶联剂Z-6040 3份；金刚石粒径3-7μm，碳化硅粒径1-2.5μm，六方氮化硼粒径＜5μm，发泡剂粒径38-44μm，聚酰亚胺树脂粒径50-80μm；

所述晶圆减薄砂轮的制备方法，包括如下步骤：

1) 将金刚石的表面进行90℃热碱处理后备用，然后往处理过的金刚石中加入300mL丙酮进行搅拌超声分散20min，然后于120℃电热丝烘箱内烘干备用；

2) 将步骤1）中的原料与六方氮化硼混合过150目筛后备用，然后与300mL丙酮和偶联剂550混合，超声20min后于120℃电热丝烘箱内烘干备用；

3) 将步骤2）的物料与发泡剂、聚酰亚胺树脂混合过200目筛，然后与2-5mm直径的氧化锆陶瓷球放入混料桶内混料后备用；

4) 根据图纸要求进行模具组装，模具最终组装成环形，热压机升温至205℃后备用，将步骤3）的物料分两次投入模具，取重量分数为25%的混合物料先投入模具内，热压机于5MPa定温205℃压制2min，压力卸除，然后把模具压头卸掉，投入剩余物料再进行压制，于5MPa保压保温1h，降温后脱模；

5) 步骤4）脱模后的环形砂轮按照图纸加工要求做成成品砂轮。

7.权利要求1-6任一所述晶圆减薄砂轮在半导体加工中的应用，其特征在于，用于3D封装技术中的晶圆减薄。