[发明专利]开态取电结构、取电模块、智能开关及多位智能双控开关

权利要求书

1.一种开态取电结构，其特征在于，包括第一可控开关单元、控制单元、变压器隔离输出单元，

第一可控开关单元，用于建立取电用的电势差；

控制单元，用于控制第一可控开关单元调整所述的电势差的大小；

变压器隔离输出单元，用于将所述的电势差进行隔离输出；

变压器隔离输出单元包括转换线圈、位于其输入侧的激励部分、位于其输出侧的反馈部分；

激励部分用于向转换线圈输入侧提供激励；

反馈部分用于控制激励部分是否激励；

激励部分与转换线圈的输入侧导通，反馈部分与转换线圈的输出侧导通；

转换线圈的输出侧的正端与取电用的正极(3)导通，转换线圈的输出侧的负端与取电用的负极(4)导通。

2.根据权利要求1所述的开态取电结构，其特征在于，第一可控开关单元的输入端与接入端(1)导通，第一可控开关单元的输出端与接出端(2)导通，第一可控开关单元的输入端还与控制单元的检测信号输入端导通，控制单元还设有基准信号输入端(5)和控制信号输出端，该控制信号输出端与第一可控开关单元的控制端导通，控制单元的基准信号输入端(5)与控制单元的第一控制模块的输入端导通，第一控制模块的控制端与控制信号输出端导通。

3.根据权利要求2所述的开态取电结构，其特征在于，第一可控开关单元包括具有体二极管的MOS管，第一可控开关单元的控制端为MOS管的控制端，接入端(1)与MOS管的输入端导通，接出端(2)与MOS管的输出端导通。

4.根据权利要求2所述的开态取电结构，其特征在于，第一可控开关单元包括两个MOS管，两个MOS管串联，且串联的公共端位于MOS管的输出端一侧，两个MOS管分别为第一MOS管和第二MOS管，均设有体二极管，第一可控开关单元的控制端为两个MOS管的控制端；接入端(1)与第一MOS管的输入端导通，接出端(2)与第二MOS管的输入端导通。

5.根据权利要求4所述的开态取电结构，其特征在于，变压器隔离输出单元的输入侧的地、控制单元的地均与该公共端导通。

6.根据权利要求3或4所述的开态取电结构，其特征在于，还包括第一泄放模块，第一泄放模块用于泄放MOS管的控制端的电压。

7.根据权利要求2所述的开态取电结构，其特征在于，控制单元包括运算放大器和第二可控开关结构，运算放大器由所述电势差供电，运算放大器的比较端的比较电压由所述电势差经获取结构获取；第二可控开关结构的控制端与运算放大器的信号输出端导通，第二可控开关结构的输入端与运算放大器的基准端导通。

8.根据权利要求7所述的开态取电结构，其特征在于，所述的第二可控开关结构包括第一三极管、第四电阻、第五电阻，运算放大器的信号输出端、第四电阻、第一三极管的控制端依序串联导通，运算放大器的基准端、第五电阻、第一三极管的输入端依序串联导通，第一三极管的输出端与接出端(2)导通。

9.根据权利要求7所述的开态取电结构，其特征在于，所述的运算放大器的比较端的比较电压由所述电势差经获取结构获取是指，获取结构包括第一二极管、第三稳压管、第三电阻、第一电容，第三电阻的一端、第一电容的一端均与第三稳压管的正端导通，第三电阻的另一端、第一电容的另一端均与接出端(2)导通，第一二极管的正端与第一可控开关单元的输入端导通，第一二极管的负端与第三稳压管的负端导通。

10.根据权利要求2所述的开态取电结构，其特征在于，基准信号的获取结构包括第二二极管、第四稳压管、第四电阻、第一极性电容，第二二极管的正端与接入端(1)导通，第四电阻的一端、第一极性电容的正端均与第二二极管的负端导通，第一极性电容的负端、第四稳压管的正端均与接出端(2)导通，第四电阻的另一端与第四稳压管的负端串联，该串联的公共端作为基准信号输出端。