[发明专利]一种提高太阳能热效率的太阳能集热器膜的制备工艺在审
申请号: | 201810755538.1 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN108870783A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 汤宝田 | 申请(专利权)人: | 南通金阳太阳能科技有限公司 |
主分类号: | F24S70/20 | 分类号: | F24S70/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226500 江苏省南通市如皋市如城*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 膜层 磁控溅射镀膜法 太阳能集热器 基体负偏压 钛基化合物 热效率 氩气 制备工艺 氮掺杂 镀设 沉积 太阳能 钢化玻璃 疏水型纳米二氧化硅 太阳能利用效率 氮气 二氧化钛膜层 透明平板玻璃 硅基化合物 自清洁性能 工艺气体 基体表层 膜层表面 腔体压强 集热器 耐用性 体积比 氧气 | ||
本发明涉及一种提高太阳能热效率的太阳能集热器膜的制备工艺,其步骤是:步骤一、选取透明平板玻璃或钢化玻璃作为基体;步骤二、采用磁控溅射镀膜法在真空度3×11‑4 Pa、基体负偏压80V、腔体压强0.9 Pa、气体中氩气:氧气的体积比为3:1的条件下,对基体表层镀设二氧化钛膜层,保持基体温度在80℃~100℃,通入氮气沉积,制得氮掺杂钛基化合物膜层;步骤三、采用磁控溅射镀膜法在真空度4×15Pa、基体负偏压110V、工艺气体为氩气的条件下,对氮掺杂钛基化合物膜层表面镀设疏水型纳米二氧化硅膜层,保持基体温度在80℃~105℃进行沉积,制得硅基化合物膜层。本发明具有自清洁性能,耐用性好,降低集热器成本,提高太阳能利用效率。
技术领域
本发明涉及太阳能集热技术领域,具体是一种提高太阳能热效率的太阳能集热器膜的制备工艺。
背景技术
光学薄膜的应用无处不在,从眼镜镀膜到手机、电脑、电视的液晶显示再到LED照明等等,它充斥著我们生活的方方面面,并使我们的生活更加丰富多彩。减反射膜是应用最广、产量最大的一种光学薄膜,减反膜又称增透膜,它的主要功能是减少或消除透镜、棱镜、平面镜等光学表面的反射光,从而增加这些元件的透光量,减少或消除系统的杂散光。因此,它至今仍是光学薄膜技术中重要的研究课题,研究的重点是寻找新材料,设计新膜系,改进淀积工艺,使之用最少的层数,最简单、最稳定的工艺,获得尽可能高的成品率,达到最理想的效果。
二氧化钛的光诱导特性使其在环境污染物降解、自清洁涂层、光分解水制氢等环境保护与能源转换领域具有广泛的用途。但受带隙宽度的限制,二氧化钛的光诱导特性需要以紫外光为激发光源,在一定程度上限制了二氧化钛的实际工程应用。将二氧化钛的光学响应区移至可见光区,不但可以利用太阳光的可见光成分,而且可以用室内光源作为激发光源,从而促进二氧化钛更广泛的应用。近年来,具有可见光响应二氧化钛的制备和相关性能研究正成为太阳能自清洁涂层研究领域的一个新热点。
通过掺杂改变二氧化钛的电子结构是制备具有可见光响应二氧化钛的重要技术途径。氮掺杂能够导致二氧化钛具有显著可见光催化活性,进而对多种物质具有明显的可见光降解能力。氮掺杂二氧化钛的光催化作用包括二氧化钛对有机污染物等的光催化降解;以及光辐射下二氧化钛分解水制氢等。这将氮掺杂二氧化钛的光诱导特性应用范围拓展到防雾和自清洁涂层材料等领域。
传统的溶胶-凝胶法制备二氧化硅或二氧化钛薄膜过程所需时间较长,此外凝胶中存在大量微孔,在干燥过程中又将会逸出许多气体及有机物,并产生收缩,这些将会影响薄膜的品质。而采用磁控溅射法制备自清洁太阳能集热器减反射膜有非常突出的优点,对其它制膜方法产生不小的冲击,具有成膜速率高、成膜均匀性好、薄膜纯度高、基片温度低、可实现大面积镀膜等优点。
太阳能集热器通常采用透光性好的平板玻璃或钢化玻璃材料作为它的盖板,其装置常年在室外,因而太阳能集热器玻璃表面的清洁问题一直困扰着其正常使用。室外环境中无机和有机尘垢造成透过率降低,进而影响集热器效率。目前采用人工清洁的方法对污垢进行处理,此方法比较耗时,而且成本高。因此,研究一种对环境友好、制备方法简单的自清洁太阳能集热器减反射膜非常有必要。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种具有自清洁性能,耐用性好,降低集热器成本,提高太阳能利用效率的太阳能集热器膜的制备工艺。
本发明所采用的技术方案是这样实现的:一种提高太阳能热效率的太阳能集热器膜的制备工艺,其特征是,该减反射膜包括复合的氮掺杂钛基化合物膜层和硅基化合物膜层,具体制备步骤如下:
步骤一、选取透明平板玻璃或钢化玻璃作为基体;
步骤二、采用磁控溅射镀膜法在真空度3×11-4 Pa、基体负偏压80V、腔体压强0.9 Pa、气体中氩气:氧气的体积比为3:1的条件下,对基体表层镀设二氧化钛膜层,保持基体温度在80℃~100℃,通入氮气沉积,制得氮掺杂钛基化合物膜层;
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