[发明专利]一种导电聚合物/石墨烯膜复合膜及其在低频声波探测器中的应用

权利要求书

1.一种导电聚合物/石墨烯膜复合膜，其特征在于，通过以下方法制备得到：

(1)将氧化石墨烯配制成浓度为0.5-10ug/mL氧化石墨烯水溶液，以AAO膜为基底抽滤成膜，石墨烯膜的厚度在2nm以下；

(2)将贴附于AAO膜的氧化石墨烯膜置于密闭容器中，80-100度HI高温从底部往上熏蒸0.1-1h；

(3)将导电聚合物稀释液的均匀旋涂在还原氧化石墨烯膜表面，并于室温下挥发溶剂；

(4)将固体转移剂热熏蒸到聚合物表面，冷却后，导电聚合物/石墨烯膜从AAO基底整体剥离下来；将固体转移剂进行升华，以去除固体转移剂，得到导电聚合物/石墨烯复合膜。

2.如权利要求1所述的导电聚合物/石墨烯膜复合膜，其特征在于，所述的固体转移剂选自石蜡、萘、三氧化二砷、樟脑、硫、降冰片烯、松香。

3.如权利要求1所述的导电聚合物/石墨烯膜复合膜，其特征在于，所述的固体转移剂的升华温度要控制在320度以下；升华压力以及环境含氧量根据物性而定。

4.如权利要求1所述的导电聚合物/石墨烯膜复合膜，其特征在于，所述导电聚合物的厚度为5-300nm，整体厚度不超过1μm。

5.如权利要求1所述的导电聚合物/石墨烯膜复合膜，其特征在于，所述的导电聚合物种类为：聚苯胺、聚乙炔。

6.一种权利要求1所述的导电聚合物/石墨烯膜复合膜在低频声波探测器中的应用，其特征在于，所述探测器信号收集部分由权利要求1所述的导电聚合物/石墨烯膜复合膜和导电基底构成，二者平行，形成电容结构；在声波作用下，复合膜发生振动，声波探测器发生对应的电容变化；所述复合膜的厚度小于1μm。

7.如权利要求6所述的应用，其特征在于，用厚度均匀的不导电环状聚合物将得到的复合膜支撑悬空，并贴合于导电基底表面，制备成复合膜/导电基底电容器；不导电环状聚合物的高度不大于10μm。