[发明专利]一种气体分子探测膜有效
| 申请号： | 201810753281.6 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108892125B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 高超;彭蠡;俞丹萍;沈颖;卡西克燕.戈坡塞米 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;C01B32/184 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 黄欢娣;邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 气体 分子 探测 | ||
【权利要求书】：
1.一种气体分子探测膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）在AAO基底膜上抽滤得到厚度不大于60nm的氧化石墨烯膜；
（2）将表面贴合有氧化石墨烯膜的AAO基底膜以氧化石墨烯膜所在的面朝上，置于水面上；按压AAO基底膜，使得AAO基底膜下沉，氧化石墨烯膜漂浮于水面;
（3）用硅片基底将漂浮于水面的氧化石墨烯膜从下往上捞起，使得氧化石墨烯膜平铺于基底表面；
（4）室温下蒸发氧化石墨烯膜中的水分，使得氧化石墨烯膜水含量大于50wt%；将蒸发处理后的氧化石墨烯膜进行冷冻干燥，氧化石墨烯膜从硅片表面脱离;
（5）对氧化石墨烯膜进行还原，使得其电导率大于50S/cm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于,所述按压位置为AAO基底膜的边缘。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中氧化石墨烯膜的厚度为4nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述AAO基底膜的表面的孔隙率不小于40%。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）中，还原方法包括化学还原和热还原；所述化学还原采用的还原剂选自水合肼和氢碘酸；热还原具体为：200℃水蒸气还原。
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