[发明专利]穿过负载开关的易感涌入电流的控制方法及对应的电子电路有效
| 申请号: | 201810753223.3 | 申请日: | 2018-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN109298743B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | F·勒邦;L·舍瓦利耶 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(ALPS)有限公司 |
| 主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
| 地址: | 法国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 穿过 负载 开关 涌入 电流 控制 方法 对应 电子电路 | ||
本公开的实施例涉及穿过负载开关的易感涌入电流的控制方法及对应的电子电路。电子电路包括开关,该开关被耦合在输入端子和输出端子之间,输入端子旨在接收第一电压,输出端子被耦合到解耦电容器并且还旨在被耦合到负载。比较级被配置为比较第一电压和存在于输出端子处的第二电压。第一调节级被配置为限制在输入端子和输出端子之间流动的正涌入电流,并且第二调节级被配置为限制在输出端子和输入端子之间流动的负涌入电流。控制电路被配置为根据比较的结果来激活第一调节级或第二调节级。
本申请要求2017年7月24日提交的法国专利申请第1756995号的优先权,该申请以引用方式被并入本文。
技术领域
本发明的实施例涉及穿过负载开关的易感涌入电流的控制方法,以及对应的电子电路。
背景技术
一般地,常规充电开关通常包括具有低阈值电压的P型MOS开关晶体管。为了在晶体管的“导通”状态下获得较低的电阻,相对于同一电子电路中的其他晶体管,该P型MOS晶体管的额定值通常较大。
此外,解耦电容器(或“旁路电容器”)通常被使用以便被并联耦合到负载。
该充电开关可以被连接或不被连接到电源。
当电源开始被接通时,当充电开关处于“导通”状态并且解耦电容器未被充电时,随着电容器开始充电,从电源流向解耦电容器的正涌入电流发生。这种正涌入电流的典型幅度可能会达到几安培。
附加地,当电容器被充电并且当电源被程度不同地快速设置为零时,随着电容器开始放电,从解耦电容器流到电源的负涌入电流发生。这种负涌入电流的典型幅度可能会达到数百毫安。
这些正向和负向涌入电流在操作上是危险的,因为它们比标称电流(针对标称电流,电路被额定)大得多。
常规解决方案提供了对第一正涌入电流的控制。然而,这样的解决方案不能限制可能的负涌入电流,并且无法跟随相关联的电源的电压的新变化。
另一种常规解决方案提供了对精确电流源的使用,例如基于禁带(或“带隙”)原理。尽管如此,这种解决方案不仅增加了电子电路的复杂性,而且还增加了其能量消耗。
发明内容
本发明的实施模式和实施例涉及电子电路,特别是包括被耦合在电源和负载之间的至少一个开关(以下称为“充电开关”)的电子电路,更具体地,涉及对当电源被连接到开关或从开关被断开时易于在开关中流动的涌入电流的控制。
本发明的实施例提供了具有低复杂度和低能量消耗的解决方案,其使得可以限制易于流过充电开关的正涌入电流和负涌入电流。
根据一个方面,一种方法可以被用于控制由于流过被耦合在输入端子和输出端子之间的开关而产生的涌入电流,输入端子易于接收第一电压,输出端子被耦合到解耦电容器和负载。该方法包括第一电压与存在于输出端子处的第二电压之间的比较,以及根据比较的结果对第一调节级或第二调节级的激活,该第一调节级或第二调节级被配置为分别限制在输入端子和输出端子之间流动的正涌入电流或在输出端子和输入端子之间流动的负涌入电流。
根据一种实施模式,如果第一电压高于第二电压,则第一调节级被激活以便限制正涌入电流,并且如果第二电压高于第一电压,则第二调节级被激活以便限制负涌入电流。
这种方法有利地使得可以首先确定涌入电流的方向(即正或负),然后选择性地激活专用于这种涌入电流的调节级,以便适当地限制它。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(ALPS)有限公司,未经意法半导体(ALPS)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810753223.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





