[发明专利]一种石墨烯基薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201810752912.2 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109036851B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 高超;彭蠡;沈颖;俞丹萍;卡西克燕.戈坡塞米 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/048;H01G9/20;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 黄欢娣;邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 薄膜 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨烯基薄膜太阳能电池，其特征在于，包括透明电极，所述透明电极为石墨烯薄膜，厚度不大于20nm，通过以下方法制备得到：
（1）在AAO基底膜上抽滤得到氧化石墨烯膜；
（2）将表面贴合有氧化石墨烯膜的AAO基底膜以氧化石墨烯膜所在的面朝上，置于水面上；按压AAO基底膜，使得AAO基底膜下沉，氧化石墨烯膜漂浮于水面；
（3）用硅片将漂浮于水面的氧化石墨烯膜从下往上捞起，使得石墨烯膜平铺于基底表面；
（4）室温下蒸发氧化石墨烯膜中的水分，使得氧化石墨烯膜水含量大于50wt%；将蒸发处理后的氧化石墨烯膜进行冷冻干燥，氧化石墨烯膜从硅片表面脱离；
（5）对氧化石墨烯膜在2000~3000℃进行还原，使得其电导率大于0.5MS/m。
2.根据权利要求1所述的石墨烯基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述步骤（2）中，按压位置为AAO基底膜的边缘。
3.根据权利要求1所述的石墨烯基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述步骤（1）中氧化石墨烯膜的厚度为4nm。
4.根据权利要求1所述的石墨烯基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述AAO基底膜表面的孔隙率不小于40%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810752912.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
