[发明专利]一种异质石墨烯膜及其制备方法

权利要求书

1.一种异质石墨烯膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

（1）将硝酸刻蚀的氧化石墨烯配制成浓度为0.5-10μg/mL氧化石墨烯水溶液，以AAO膜为基底抽滤成膜；在未干之前加入无刻蚀的氧化石墨烯溶液，继续抽滤成膜，在AAO膜表面形成石墨烯异质膜；异质膜的厚度不大于100nm；

（2）将表面贴附有石墨烯异质膜的AAO膜转移至密闭容器中，80-100℃HI熏蒸2-12h；

（3）将石墨烯异质膜从AAO膜上剥离，其中一面由刻蚀的氧化石墨烯构成，另一面由无刻蚀的氧化石墨烯构成；

（4）将剥离后的石墨烯异质膜用3000℃高温处理1-2小时；

（5）对刻蚀面进行氢化或氟化处理，破坏表面共轭结构，最终得到异质石墨烯膜；沿厚度方向分成两部分，一部分由低缺陷石墨烯构成，I_D/I_G0.001,另一部分由氢化或氟化处理后的石墨烯构成。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述异质石墨烯膜中，由无缺陷石墨烯构成的部分的厚度为异质石墨烯膜整体厚度的2/3以上。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（3）中的剥离方法为：将表面贴合有石墨烯异质膜的AAO以石墨烯异质膜所在的面朝上，置于水面上；按压AAO，使得AAO下沉，得到漂浮于水面的石墨烯异质膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤（3）中，按压位置为AAO的边缘。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于， AAO基底膜的表面的孔隙率不小于40%。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（3）中的剥离方法为：将融化的樟脑均匀涂敷在石墨烯异质膜表面，并于室温下冷却，石墨烯异质膜和AAO自动分离；将分离后的粘附有樟脑的石墨烯异质膜置于60℃环境下，挥发樟脑直至完全去除。