[发明专利]一种表面局部浸润性可控基底及其应用在审
| 申请号： | 201810750718.0 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN109517736A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孙康;李喜梅;杨明亮;蒋庆 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C12M3/00 | 分类号： | C12M3/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案化电极 浸润性 基底 可控 表面局部 惰性表面 制备 三维 细胞共培养 超疏水 表面浸润性 表面化学 分子修饰 化学分子 控制表面 培养细胞 电解析 微加工 可逆 构建 亲水 脱附 细胞 覆盖 应用 | ||
1.一种表面局部浸润性可控基底，其特征在于，包括超疏水的惰性表面和在所述惰性表面上的图案化电极，且该图案化电极的表面浸润性可控。
2.根据权利要求1所述的表面局部浸润性可控基底，其特征在于，控制图案化电极的表面浸润性可控的方法，包括如下步骤：
S1.在超疏水的惰性表面基底上制备出图案化电极；
S2.通过分子修饰改变图案化电极的表面化学成分，使图案化电极的表面变为超疏水；再将超疏水的图案化电极的表面进行化学分子脱附，图案化电极表面变为亲水，实现浸润性可控。
3.根据权利要求1所述的表面局部浸润性可控基底，其特征在于，表面局部浸润性可控基底包括玻璃片、硅片或玻纤板。
4.根据权利要求1所述的表面局部浸润性可控基底，其特征在于，超疏水的惰性表面基底是通过表面修饰改变化学成分，成为超疏水惰性表面。
5.根据权利要求4所述的表面局部浸润性可控基底，其特征在于，超疏水的惰性表面基底的制备为：将原始基底进行刻蚀，并用烷基硅烷或氟硅烷修饰，变为惰性表面。
6.根据权利要求2所述的表面局部浸润性可控基底，其特征在于，S1中制备图案化电极的操作为：通过微加工方法将导电物质的图案沉积在超疏水的惰性表面，同时惰性表面不全部被图案化电极覆盖。
7.根据权利要求1所述的表面局部浸润性可控基底，其特征在于，S2中分子修饰采用的物质为烷基硫醇分子。
8.根据权利要求7所述的表面局部浸润性可控基底，其特征在于，烷基硫醇分子为十二烷基硫醇。
9.根据权利要求6所述的图案化电极，其特征在于，图案化电极为点阵组成，每个点阵分为内层和外层，内层和外层均为实心图形，内外层相互不接触；内层与外接电极连接，外层与外接电极连接。
10.根据权利要求9所述的表面局部浸润性可控基底，其特征在于，图案化电极包括至少一个内层和外层。
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