[发明专利]基板冷却装置在审
申请号: | 201810749980.3 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN109037100A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 肖文欢 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通孔 电极 基板 基板冷却装置 腔室组件 温度调整 气体导入系统 流出 导出系统 电极设置 基板冷却 基板设置 可流动 导出 连通 | ||
1.一种基板冷却装置,其特征在于,所述基板冷却装置包括:
腔室组件;
电极,设置于所述腔室组件中,且所述电极包括多个流入通孔及多个流出通孔;
基板,设置于所述腔室组件中及所述电极上,所述基板及所述电极之间形成缝隙,且所述缝隙与所述流入通孔及所述流出通孔连通;
气体导入系统,用于将温度调整气体导入所述流入通孔和所述缝隙;以及
气体导出系统,用于从所述缝隙和所述流出通孔导出所述温度调整气体,藉此所述温度调整气体可流动通过所述基板以带走所述基板上的热量。
2.根据权利要求1所述的基板冷却装置,其特征在于,所述腔室组件包括腔室及围绕所述腔室的腔室基座,所述电极包括多个凸台及本体,所述凸台设置于所述本体的表面的外围边缘上,所述凸台彼此连接,形成一个边框,被所述凸台圈围的所述电极的内部表面的高度低于所述凸台的表面的高度,当所述基板设置于所述电极的表面上时,所述基板与所述凸台紧密接触,且所述基板与所述电极的所述内部表面之间具有所述缝隙。
3.根据权利要求2所述的基板冷却装置,其特征在于,所述基板还设置于所述腔室基座的表面上,所述凸台的所述表面及所述腔室基座的所述表面位于同一平面。
4.根据权利要求2所述的基板冷却装置,其特征在于,所述气体导入系统包括导入管路及导入气动阀,所述导入管路与所述流入通孔连通,所述导入气动阀设置于所述导入管路上,通过所述导入气动阀的开启和关闭,控制所述温度调整气体流入所述流入通孔和所述缝隙。
5.根据权利要求4所述的基板冷却装置,其特征在于,所述气体导入系统还包括导入压力控制阀,所述导入压力控制阀设置于所述导入管路上,用于控制所述温度调整气体流入所述流入通孔的压力和流量。
6.根据权利要求2所述的基板冷却装置,其特征在于,所述气体导出系统包括导出管路及导出气动阀,所述导出管路与所述流出通孔连通,所述导出气动阀设置于所述导出管路上,通过所述导出气动阀的开启和关闭,控制所述温度调整气体流出所述缝隙和所述流出通孔。
7.根据权利要求6所述的基板冷却装置,其特征在于,所述气体导出系统还包括导出压力控制阀,所述导出压力控制阀设置于所述导出管路上,用于控制所述温度调整气体流出所述流出通孔的压力和流量。
8.根据权利要求7所述的基板冷却装置,其特征在于,所述导出压力控制阀还用于控制所述缝隙内的所述温度调整气体的压力。
9.根据权利要求8所述的基板冷却装置,其特征在于,所述气体导出系统还包括温度传感器,所述温度传感器设置于所述导出管路上,用于侦测所述温度调整气体流出所述流出通孔的温度。
10.根据权利要求2所述的基板冷却装置,其特征在于,所述温度调整气体为氦气。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的基板冷却装置,其特征在于,所述缝隙内的所述温度调整气体的压力保持不变。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造