[发明专利]图像距离传感器及其制备方法、倒车图像测距装置有效
申请号: | 201810749555.4 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN108807442B | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 卜倩倩;李鑫 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 距离 传感器 及其 制备 方法 倒车 测距 装置 | ||
本发明实施例提供一种图像距离传感器及其制备方法、倒车图像测距装置。图像距离传感器包括半导体衬底上,以及在所述半导体衬底上通过同一次制备过程形成的图像传感单元和距离传感单元。本发明通过在半导体衬底上通过同一次制备过程同时制备获取图像的图像传感单元和获取距离的距离传感单元,使图像传感功能和距离传感功能有机地集成在一个传感器中,有效克服了现有组合方案集成度低、体积大、成本高等缺陷,最大限度地提高了集成度,减小了产品体积,降低了生产成本。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种图像距离传感器及其制备方法、倒车图像测距装置。
背景技术
汽车已成为现代人非常重要的代步工具,提升行车安全性是非常重要的问题。车辆前向行驶时,驾驶者可以清楚地看到行人、车辆或目标物,但在驾驶者想要路边停车、倒车入库或是向后行驶时,须通过后视镜、倒车雷达或倒车图像装置的辅助了解车后情况。
由于后视镜的结构特点,驾驶者在使用后视镜观看车辆后方场景时,可能发生无法观察到的死角,会增加车辆碰撞到目标物或行人的危险性。倒车雷达通常是采用超声波传感器,依靠回音探测距离。倒车雷达开始工作时,由传感器发射超声波信号,一旦车后方出现障碍物,超声波被障碍物反射,传感器会接收到反射波信号,通过控制器对反射波信号进行处理,来判断障碍物与车尾的距离。虽然倒车雷达能够准确测量障碍物与车尾的距离,但仅能通过声响的频率提醒驾驶者车尾距离障碍物的远近程度,驾驶者无法看到障碍物的形状和位置。倒车图像装置通常是在车尾安装摄像装置,驾驶者通过车内的显示器可清晰显示车后的障碍物。虽然倒车图像装置能够直观地显示障碍物的形状和位置,但驾驶者无法了解障碍物与车尾的真实距离,使得驾驶者需要一直盯着显示器。
目前,现有技术提出了具有倒车雷达和倒车图像功能的技术方案,倒车雷达直接测量车尾与障碍物的距离并提示驾驶者,驾驶者收到提示后观察倒车图像装置的显示器,准确掌握车辆后方场景信息。但该技术方案中,倒车雷达是独立的器件,倒车图像装置也是独立的器件,实际上是采用两个分离器件分别实现两功能的组合结构,存在集成度低、体积大、成本高等缺陷。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种图像距离传感器及其制备方法、倒车图像测距装置,以克服现有组合方案集成度低、体积大、成本高等缺陷。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种图像距离传感器,包括半导体衬底上,以及在所述半导体衬底上通过同一次制备过程形成的图像传感单元和距离传感单元。
可选地,所述图像传感单元包括形成在半导体衬底上的像素电路和感光单元,所述像素电路包括:
形成在半导体衬底内的第一阱区和第二阱区,所述第一阱区内形成有第一掺杂区,所述第二阱区内形成有第二掺杂区;所述第一阱区与第二阱区的半导体类型不同;
形成在所述第一阱区和第二阱区上的第一栅极和第二栅极;
覆盖所述第一栅极和第二栅极的第一绝缘层;
形成在所述第一绝缘层上的第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极,所述第一源电极和第一漏电极通过过孔与所述第一掺杂区连接,第二源电极和第二漏电极通过过孔与所述第二掺杂区连接,所述第一漏电极与第二源电极连接,所述第二漏电极与所述感光单元的第一电极连接。
可选地,所述感光单元包括:
形成在半导体衬底内的第三阱区,所述第三阱区内形成有第三掺杂区,所述第三掺杂区与第三阱区的半导体类型不同;
形成在所述第三掺杂区上的第一电极,所述第一电极与所述像素电路的第二漏电极连接。
可选地,所述距离传感单元包括:
形成在半导体衬底内的谐振腔;
覆盖所述谐振腔的第一绝缘层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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