[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201810746992.0 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN109192829B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;韦春余;陆香花;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层和高温P型层，所述缓冲层、所述N型层、所述有源层、所述低温P型层、所述电子阻挡层和所述高温P型层依次层叠在所述衬底上，所述高温P型层的材料采用P型掺杂的氮化镓，其特征在于，所述低温P型层的材料采用P型掺杂的氮化铟镓，所述电子阻挡层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层的材料采用铝铟镓氮，所述第二子层的材料采用氮化铝镓，所述第三子层的材料采用氮化铝，所述第四子层的材料采用氮化铟镓。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述电子阻挡层中掺有P型掺杂剂，所述电子阻挡层中P型掺杂剂的掺杂浓度小于所述高温P型层中P型掺杂剂的掺杂浓度。
3.根据权利要求1或2所述氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层为InxAlyGa1-x-yN层，0.1＜x＜0.3，0.1＜y＜0.5。
4.根据权利要求1或2所述氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层为AlzGa1-zN层，0.1＜z＜0.5。
5.根据权利要求1或2所述氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第四子层为InaGa1-aN层，0.1＜a＜0.3。
6.根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为20nm～60nm。
7.根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度小于所述第二子层的厚度，所述第一子层的厚度小于所述第三子层的厚度，所述第二子层的厚度大于所述第四子层的厚度，所述第三子层的厚度大于所述第四子层的厚度。
8.一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层和高温P型层；
其中，所述高温P型层的材料采用P型掺杂的氮化镓，所述低温P型层的材料采用P型掺杂的氮化铟镓，所述电子阻挡层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层的材料采用铝铟镓氮，所述第二子层的材料采用氮化铝镓，所述第三子层的材料采用氮化铝，所述第四子层的材料采用氮化铟镓。
9.根据权利要求8所述的生长方法，其特征在于，所述电子阻挡层的生长温度为800℃～1100℃。
10.根据权利要求8或9所述的生长方法，其特征在于，所述电子阻挡层的生长压力为100torr～300torr。
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