[发明专利]等离子体源、激发系统和操作激发测量系统的方法有效

专利信息
申请号: 201810746909.X 申请日: 2018-07-09
公开(公告)号: CN109243956B 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 马克·A·梅洛尼 申请(专利权)人: 真实仪器公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张晓媛
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 激发 系统 操作 测量 方法
【权利要求书】:

1.一种用于从一种或多种气体激发等离子体且对其进行光学监视的等离子体源,所述等离子体源包括:

同轴射频RF谐振器,其包含第一末端、第二末端、内部电极和外部电极;

射频接口,其电耦合到所述内部电极和所述外部电极且经配置以将RF信号提供到所述同轴射频RF谐振器;

凸缘,其定位于所述谐振器的所述第一末端处且限定等离子体腔体;以及

窗口,其定位于所述谐振器的所述第一末端与所述凸缘之间且形成所述等离子体腔体的一侧,由此所述同轴射频RF谐振器与所述等离子体隔离。

2.根据权利要求1所述的等离子体源,其进一步包括隔离屏,所述隔离屏定位于所述等离子体腔体的与所述窗口相对的末端处且形成所述等离子体腔体的第二侧。

3.根据权利要求1所述的等离子体源,其进一步包括定位于所述窗口与所述凸缘之间的O型环。

4.根据权利要求1所述的等离子体源,其中所述凸缘以可移除方式耦合到所述同轴射频RF谐振器。

5.根据权利要求1所述的等离子体源,其进一步包括沿着所述同轴射频RF谐振器的长度在所述第一末端与所述第二末端之间延伸的查看端口。

6.根据权利要求5所述的等离子体源,其进一步包括位于所述同轴射频RF谐振器的所述第二末端处且与所述查看端口重合的光纤接入口。

7.根据权利要求1所述的等离子体源,其中限定所述等离子体腔体的所述凸缘的内表面涂布有抵抗因所述等离子体而导致的污染和损坏的产物。

8.根据权利要求1所述的等离子体源,其进一步包括用于点燃所述等离子体腔体内的等离子体的点火器。

9.根据权利要求8所述的等离子体源,其中所述点火器为在所述等离子体腔体外部位于所述窗口附近的火花点火器。

10.根据权利要求1所述的等离子体源,其进一步包括经配置以更改所述等离子体源的Q的Q调谐器。

11.根据权利要求10所述的等离子体源,其中所述Q调谐器包含在所述同轴射频RF谐振器附近的电线圈和在所述内部电极与所述外部电极之间的铁氧体元件,其中所述电线圈围绕所述同轴射频RF谐振器的具有所述铁氧体元件的一部分而定位。

12.根据权利要求1所述的等离子体源,其中所述同轴射频RF谐振器的激发是通过所述RF信号经由所述射频接口而提供,且电磁场经产生且递送到所述等离子体腔体以用于激发所述等离子体。

13.根据权利要求1所述的等离子体源,其中所述窗口为自洁式的。

14.一种用于激发等离子体的激发系统,其包括:

等离子体源,其包含:

同轴射频RF谐振器,其包含第一末端、第二末端、内部电极和外部电极,

射频接口,其电耦合到所述内部电极和所述外部电极且经配置以将RF信号递送到所述同轴射频RF谐振器,

凸缘,其定位于所述同轴射频RF谐振器的所述第一末端处且限定等离子体腔体,以及

窗口,其定位于所述同轴射频RF谐振器的所述第一末端与所述凸缘之间且形成所述等离子体腔体的一侧,由此所述同轴射频RF谐振器与所述等离子体隔离;以及

源控制器,其经配置以将所述RF信号提供到所述射频接口且控制所述RF信号的功率量,

其中所述等离子体源为用于光学监视的光源。

15.根据权利要求14所述的激发系统,其中所述源控制器基于所述等离子体的点燃而改变所述功率量或在点燃之后维持所述等离子体。

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