[发明专利]太阳能级多晶硅制备装置

权利要求书

1.一种太阳能级多晶硅制备装置，其特征在于：包括炉体（21），坩埚杆（16）的上端位于所述炉体（21）内，且坩埚杆（16）的上端设置有坩埚支撑（19），坩埚杆（16）的下端位于所述炉体（21）外，所述坩埚支撑（19）内设置有坩埚（12），所述坩埚支撑（19）的外周设置有主加热器（13），所述坩埚支撑（19）的下侧设置有辅助加热器（15），所述坩埚（12）正上方的中部设置有提拉共晶保护罩（4），所述提拉共晶保护罩（4）上设置有设置有充气管（4-1），所述充气管（4-1）的下端位于所述保护罩内，且不插入所述坩埚（12）的熔体内，所述充气管（4-1）的上端从下到上依次穿过所述保护罩的上侧板以及炉体（21）后从炉体（21）的上侧伸出，所述保护罩的侧壁上设置有出气通道（4-2）；所述充气管（4-1）之间设置有籽晶杆（2），所述籽晶杆（1）的上端位于所述炉体（21）的外侧，所述籽晶杆（1）的下端延伸到所述保护罩内，且所述籽晶杆（1）的下端设置有硅籽晶（7），所述保护罩的左右两侧设置有等离子电极（5），所述等离子电极（5）的上端设置有电极杆（2），所述电极杆（2）的上端延伸至所述炉体（21）外，位于左侧的所述等离子电极（5）的左侧设置有铝丝保护管（18）， 位于右侧的所述等离子电极（5）的右侧设置有钛丝保护管（6），且所述等离子电极（5）、钛丝保护管（6）以及铝丝保护管（18）位于所述坩埚（12）的正上方，高纯钛丝（3）通过钛丝保护管（6）进入坩埚（12）内的熔体（17）中，高纯铝丝（20）通过铝丝保护管（18）进入坩埚（12）内的熔体（17）中。

2.如权利要求1所述的太阳能级多晶硅制备装置，其特征在于：所述炉体（21）的外侧设置有坩埚杆旋转驱动装置，所述驱动装置用于驱动所述坩埚旋转。

3.如权利要求1所述的太阳能级多晶硅制备装置，其特征在于：所述排气通道（4-2）倾斜设置，且排气通道（4-2）的下端高于所述保护罩的下端。

4.如权利要求1所述的太阳能级多晶硅制备装置，其特征在于：所述炉体上设置有设置有排气阀门，用于保证充气管（4-1）充入气体时，将多余气体排出，同时将从熔体中排出的杂质气体排出。