[发明专利]一种用于宽光谱的有机光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种用于宽光谱的有机光电探测器，其特征在于，包括玻璃基片(1)，所述玻璃基片(1)上表面镀有ITO电极层(2)，所述ITO电极层(2)表面由下而上依次涂覆有阳极缓冲层(3)、活性层(4)、阴极缓冲层(5)及Al电极层(6)；

所述阳极缓冲层(3)的材料为PEDOT和PSS的混合物，所述活性层(4)的材料为混合物PBDTTT-F:P3HT:PC₆₁BM:SWCNT，所述阴极缓冲层(5)的材料为LiF。

2.如权利要求1所述的一种用于宽光谱的有机光电探测器，其特征在于，所述阳极缓冲层(3)的厚度为30nm～50nm，所述活性层(4)的厚度为150nm～200nm，所述阴极缓冲层(5)的厚度为0.8nm～1.5nm，所述Al电极层的厚度为80nm～100nm。

3.如权利要求1所述的一种用于宽光谱的有机光电探测器，其特征在于，所述活性层(4)中：电子给体材料为PBDTTT-F，电子受体材料为PC₆₁BM，PBDTTT-F:P3HT:PC₆₁BM:SWCNT的质量比为12:8:3:0～12:8:3:2。

4.如权利要求1所述的一种用于宽光谱的有机光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、先在玻璃基片(1)上镀ITO电极层(2)，再采用湿法清洗镀有ITO电极层的玻璃基片(1)，然后用纯氮气吹干或红外烘干；

步骤2：将经步骤1处理后的玻璃基片(1)用紫外臭氧光清洗后，将其置于在氮气手套箱中，通过匀胶机在ITO电极层(2)表面旋涂PEDOT:PSS混合物，旋涂完毕后将玻璃基片(1)放在90℃～120℃的样品加热台上退火10min～15min，形成阳极缓冲层(3)；

步骤3：先将PBDTTT-F、P3HT和PC₆₁BM溶于氯苯中形成混合溶液，然后使混合溶液包裹在SWCNT表面形成混合物，最后将混合物旋涂在所述阳极缓冲层(3)上，旋涂完毕后将玻璃基片(1)放在90℃～120℃的样品加热台上退火10min～15min，形成活性层(4)；

步骤4：先将经步骤3所得到的玻璃基片(1)放入真空蒸镀机中蒸镀LiF层，形成阴极缓冲层(5)，然后在阴极缓冲层(5)上沉积Al电极层(6)；

步骤5：将经步骤4所得的玻璃基片(1)加热到90℃～120℃，恒温保持15min～20min，之后将温度降到室温，得到有机光电探测器。

5.如权利要求1所述的一种用于宽光谱的有机光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤1所述的湿法清洗的过程为：先采用去离子水对玻璃基片(1)进行超声清洗15min～20min，接着采用丙酮对玻璃基片(2)进行超声清洗15min～20min，最后采用无水乙醇超声清洗15min～20min。

6.如权利要求1所述的一种用于宽光谱的有机光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤2所述的旋涂过程的工艺参数如下：

旋涂速率为3000rpm～3500rpm，旋涂时间为50s～70s。

7.如权利要求1所述的一种用于宽光谱的有机光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤3所述的旋涂过程的工艺参数如下：

旋涂速率为600rpm～800rpm，旋涂时间为50s～70s。

8.如权利要求1所述的一种用于宽光谱的有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述阳极缓冲层(3)的厚度为30nm～50nm，所述活性层(4)的厚度为150nm～200nm，所述阴极缓冲层(5)的厚度为0.8nm～1.5nm，所述Al电极层的厚度为80nm～100nm。

9.如权利要求1所述的一种用于宽光谱的有机光电探测器，其特征在于，所述活性层(4)中：电子给体材料为PBDTTT-F，电子受体材料为PC₆₁BM，PBDTTT-F:P3HT:PC₆₁BM:SWCNT的质量比为12:8:3:0～12:8:3:2。