[发明专利]钙钛矿量子点阵列的制备方法

说明书

本申请公开了一种钙钛矿量子点阵列的制备方法，其特征在于，包括：(1)获得模板；(2)将钙钛矿量子点的前驱体溶液填充步骤(1)中所述模板，加热干燥，得到所述钙钛矿量子点阵列。本申请中所述的前驱体溶液填充点阵后，通过加热原位生成钙钛矿量子点的方法解决了现有技术中钙钛矿量子点材料无法通过与光刻胶混合，光刻制备阵列化图案的问题。采用所述方法原位生成的钙钛矿量子点阵列可应用于显示器件、光电探测器等。

技术领域

本申请涉及一种钙钛矿量子点阵列的制备方法，属于量子点发光材料技术领域。

背景技术

量子点材料是指粒径在1-100nm之间的无机半导体纳米晶粒，具有诸多优异的特性。量子点材料的光谱半波宽较窄，因此发射的光色纯度较高，能够明显提高显示器件的色域。量子点的发射光波长可以通过调整量子点的尺寸以及组分实现，根据实际使用的需求在可见光谱范围内进行可控调整，此外，量子点材料还具有非常高的发光效率，能够实现在各种光电器件中的集成应用。目前，传统量子点材料(如CdSe，CdTe，InP等)一般是通过与光刻胶混合后利用光刻工艺来实现图案化。最近几年，钙钛矿量子点以其优异的光学特性和简便的合成方法获得了学术界和工业界的广泛关注。不同于传统量子点是半导体晶体材料这一特点，钙钛矿量子点是一种离子型化合物，在与光刻胶混合时会破坏化合物结构，导致光学性质被破坏，从而失去在显示成像领域的应用价值。因此，现有钙钛矿量子点材料的图形化技术需要在光刻以外探索出一条新路。

发明内容

根据本申请的一个方面，提供了一种钙钛矿量子点阵列的制备方法，该方法主要解决的技术问题是钙钛矿量子点材料无法像传统量子点材料一样采用光刻工艺进行图案化，导致钙钛矿量子点材料无法满足光电器件的实际应用需求。

所述钙钛矿量子点阵列的制备方法，其特征在于，包括：

(1)获得模板；

(2)将钙钛矿量子点的前驱体溶液填充步骤(1)中所述模板，加热干燥，得到所述钙钛矿量子点阵列。

可选地，所述钙钛矿量子点阵列为原位生成。

可选地，所述模板中包含30*100μm～100*500μm的凹槽。

可选地，步骤(1)中所述模板中包含50*100μm的凹槽。

可选地，所述模板中包含30*100μm的凹槽。

可选地，所述模板为聚合物I薄膜阵列；

所述聚合物I薄膜阵列排列于基底上。

可选地，所述的聚合物I包括Poly-TPD、可添加其他材料。

可选地，所述聚合物I包括Poly-TPD、PDMS、PI中的至少一种。

可选地，所述聚合物I薄膜的厚度为0.5～5μm。

可选地，所述聚合物I薄膜的厚度为1～5μm。

可选地，所述聚合物I薄膜的厚度为2～5μm。

可选地，所述的基底选自光学透明的材料中的一种。

可选地，所述基底选自透明玻璃、PET、PMMA或PC。

可选地，所述模板的制备方法包括：在基板上方制备聚合物薄膜层，在聚合物薄膜层上方采用光刻工艺制备由光刻胶组成的阵列图案。

可选地，所述模板的获得方法包括：

(a1)在基底上获得聚合物层；

(a2)采用光刻及RIE(reactive ion etching)刻蚀工艺获得所述模板。

可选地，步骤(a1)中所述聚合物层的制备方法为旋涂。