[发明专利]一种光学膜层、其应用及太阳能组件在审
| 申请号： | 201810736470.2 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110739354A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 黄亮;万军鹏;谭军毅;赖辉龙 | 申请（专利权）人： | 北京汉能光伏投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;G02B1/115 |
| 代理公司： | 11584 北京智晨知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 101400 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增透膜层 光学膜层 增透膜 基板 低折射率 高折射率 申请 太阳能技术领域 光电转换效率 太阳能组件 交替堆叠 提升器件 反射率 太阳能 光照 应用 | ||
1.一种光学膜层，其特征在于，包括设于基板上的增透膜系，所述增透膜系包括交替堆叠的高折射率增透膜层和低折射率增透膜层，
所述高折射率增透膜层选自Nb2O5膜、Si3N4膜、SiONx膜和SnO2膜中的至少一种；所述低折射率增透膜层选自SiO2膜和MgF2膜中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的光学膜层，其特征在于，所述增透膜系的膜层总数为20～28层，或者所述增透膜系的总厚度为2～4μm。
3.根据权利要求1所述的光学膜层，其特征在于，所述基板为透光基板，所述增透膜系设于所述透光基板的受光面。
4.根据权利要求1所述的光学膜层，其特征在于，还包括设于所述基板和所述增透膜系之间的紫外截止膜系，所述紫外截止膜系包括交替堆叠的高折射率截止膜层和低折射率截止膜层，
所述高折射率截止膜层为TiO2-CeO2膜，所述低折射率截止膜层选自SiO2膜和MgF2膜中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的光学膜层，其特征在于，所述TiO2-CeO2膜中TiO2和CeO2的摩尔比为1：(0.8～1.5)；可选地，所述TiO2-CeO2膜中掺杂贵金属元素；可选地，所述贵金属元素选自Ag、Au、Pt、Pd和Nb中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的光学膜层，其特征在于，所述紫外截止膜系的膜层总数为16～22层，或者所述紫外截止膜系的总厚度为2～11μm。
7.根据权利要求4所述的光学膜层，其特征在于，还包括设于所述基板和所述紫外截止膜系之间的离子阻挡层；可选地，所述离子阻挡层为SiO2膜；可选地，所述SiO2膜的厚度为25～45nm。
8.根据权利要求7所述的光学膜层，其特征在于，所述增透膜系、紫外截止膜系和离子阻挡层的膜层均为真空磁控溅射沉积膜。
9.权利要求1至8中任一项所述的光学膜层在制备太阳能组件、光学镜头或成像显示仪器中的应用。
10.一种太阳能组件，其特征在于，包括基板和权利要求1至8中任一项所述的光学膜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
