[发明专利]一种致密型耐腐蚀低辐射膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种致密型耐腐蚀低辐射膜材料的制备方法，其特征在于具体制备步骤为：

（1）按重量份数计，分别称量45～50份无水乙醇、3～5份硝酸镱、10～15份氯化锡、3～5份十六烷基三甲基溴化铵置于烧杯中，搅拌混合并静置6～8h，收集混合溶液；

（2）按质量比1：10，对混合溶液中滴加氨水，待滴加完成后，静置陈化，离心分离，收集下层凝胶并洗涤，收集凝胶液；

（3）按重量份数计，分别称量45～50份无水乙醇、10～15份质量分数25％醋酸和10～15份钛酸四丁酯置于烧杯中，搅拌混合得基体液，再按重量份数计，分别称量45～50份去离子水、10～15份无水乙醇和10～15份质量分数1％硝酸搅拌混合得改性液，再按质量比1：3，将改性液滴加至基体液中，待滴加完成后，搅拌混合并静置，收集得基体溶胶液；

（4）按质量比1：1，将基体溶胶液与凝胶液搅拌混合并浇注至模具中，将模具干燥后升温加热并保温煅烧，静置冷却至室温，得改性靶材；

（5）取洁净的载玻片并溅射制备，即可得所述的致密型耐腐蚀低辐射膜材料。

2.根据权利要求1所述的一种致密型耐腐蚀低辐射膜材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）所述的氨水滴加速率为2～3mL/min。

3.根据权利要求1所述的一种致密型耐腐蚀低辐射膜材料的制备方法，其特征在于：步骤（4）所述的升温加热为按10℃/min升温至1000～1100℃。

4.根据权利要求1所述的一种致密型耐腐蚀低辐射膜材料的制备方法，其特征在于：步骤（5）所述的溅射制备为控制基材与靶材之间距离为10cm，本底真空度为5×10^-3Pa，在室温下控制氮气流量为1.8×10^-3m³/h，控制改性靶材溅射功率为500W，溅射改性薄膜后，静置10min并打开银靶射频电源预热，关闭反应气体氮气，增压至Ar起辉并调节压强至1Pa，通入氮气并调节流量至45～50mL/min，打开挡板并制备。