[发明专利]用于真空灭弧室的高强韧性和高绝缘强度的陶瓷制备工艺

权利要求书

1.一种用于真空灭弧室的高强韧性和高绝缘强度的陶瓷制备工艺，所述制备工艺包括如下步骤：提供氮化硅粉体以及氮化硼粉体，其中，以重量份计，氮化硅粉体占90份，氮化硼粉体占80份；将氮化硅粉体以及氮化硼粉体混合并进行第一球磨，得到SiBN粉末；提供短切碳纤维以及碳酸钙晶须；将SiBN粉末、短切碳纤维以及碳酸钙晶须混合并进行第二球磨，得到改性SiBN粉末；对改性SiBN粉末进行第一热处理，得到第二改性SiBN粉末；对第二改性SiBN粉末进行第一急冷处理，得到第三改性SiBN粉末；对第三改性SiBN粉末进行真空热压烧结，得到陶瓷块；对陶瓷块进行第二急冷处理，得到高强韧性和高绝缘强度的陶瓷块，在改性SiBN粉末中，以重量份计，SiBN粉末占80份、短切碳纤维占6份以及碳酸钙晶须占5份，第一球磨具体为：使用行星球磨机进行球磨，其中，球磨气氛为真空气氛，球磨气压低于0.05Pa，主转盘转速为150r/min，行星盘转速为550r/min，球磨时间为7h，第二球磨具体为：使用行星球磨机进行球磨，其中，球磨气氛为真空气氛，球磨气压低于0.05Pa，主转盘转速为450r/min，行星盘转速为900r/min，球磨时间为2h，对改性SiBN粉末进行第一热处理具体为：热处理气压低于0.01Pa，热处理温度为600℃，热处理时间为6h，对第二改性SiBN粉末进行第一急冷处理具体为：将盛放第二改性SiBN粉末的容器放入液氮中，急冷处理时间为70s，对第三改性SiBN粉末进行真空热压烧结具体为：烧结气压低于0.01Pa，烧结温度为1800℃，烧结压力为100MPa，烧结时间为15min，在升温过程中，当温度低于1000℃时，升温速率为120℃/min，当温度处于1000-1700℃时，升温速率为40℃/min，对陶瓷块进行第二急冷处理具体为：提供温度低于5℃的惰性气体，向陶瓷块喷射惰性气体，喷射速度为400mL/s，喷射时间为3.5min。