[发明专利]一种高导热稠环聚酰亚胺薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810733090.3 申请日: 2018-07-05
公开(公告)号: CN109337100B 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 史恩台 申请(专利权)人: 安徽国风塑业股份有限公司
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08G73/10;C08K3/38;C08K3/22;C08L79/08
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 黄少波;奚华保
地址: 230088 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 导热 聚酰亚胺 薄膜 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种高导热稠环聚酰亚胺薄膜的制备方法,包括以下步骤:将稠环二胺和稠环二酐按摩尔比1:0.995‑1.005,在氮气环境下置于非质子极性溶剂中进行反应,得到聚酰胺酸溶液;在聚酰胺酸溶液中加入纳米导热填料,利用超声分散仪将其分散均匀,得到混合溶液,其中纳米导热填料占稠环二胺和稠环二酐总量的5%‑20wt%;将混合溶液在镜面钢板上涂布,干燥、剥离得到凝胶膜;将凝胶膜四周固定在金属框架上,放入亚胺化炉内进行亚胺化,即得到高导热稠环聚酰亚胺薄膜。本发明所制得的高导热稠环聚酰亚胺薄膜的导热系数高达1.8~6.0W•m‑1k‑1,同时具有高强度、高模量等性能。

技术领域

本发明涉及薄膜制备技术领域,特别涉及一种高导热稠环聚酰亚胺薄膜的制备方法。

背景技术

聚酰亚胺薄膜是一种性能最好的薄膜类绝缘材料,同时还具备卓越的耐热性能和力学性能,已经被广泛地应用于柔性印刷电路基材、微电子集成电路和特种电器等领域。

随着各类电子产品越来越趋于小型化,微电子处于高速化运行和高密度状态下,导致集成电路和电子元器件产生大量的热量,如果无法及时进行疏导,就会影响电子元器件的正常运行,甚至出现安全方面的问题。然而,普通聚酰亚胺薄膜的导热系数仅为0.16W·m-1k-1,限制了其在微电子领域的应用。

现有公开了多种提高聚酰亚胺薄膜导热系数的技术方法,大多数是通过向聚酰胺酸中添加导热填料,在体系中形成导热网链实现的。但是,导热网链的形成意味着要添加大量的导热填料,不可避免地会引起力学性能下降的问题。目前,在保持聚酰亚胺薄膜力学性能的基础上提高其导热系数,是学术界和工业界亟待解决的一个研究课题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高导热稠环聚酰亚胺薄膜的制备方法,以制备得到具有高导热系数、高强度、高模量性能的聚酰亚胺薄膜。

为实现上述目的,本发明采用了以下技术方案:

一种高导热稠环聚酰亚胺薄膜的制备方法,包括以下步骤:

S1、在氮气环境下将稠环二胺溶于非质子极性溶剂中,再将稠环二酐分批加入到稠环二胺溶液中反应后,得到聚酰胺酸溶液,所述稠环二胺与稠环二酐的摩尔比为1:0.995-1.005;

S2、在聚酰胺酸溶液中加入纳米导热填料,并利用超声分散仪分散均匀得到混合溶液,所述纳米导热填料占稠环二胺和稠环二酐总量的5-20wt%;

S3、将混合溶液在镜面钢板上涂布,经干燥、剥离后得到凝胶膜,将凝胶膜的周边固定在金属框架上,放入亚胺化炉内进行亚胺化后,得到高导热稠环聚酰亚胺薄膜。

进一步,所述稠环二胺为1,4-二氨基萘、1,5-二氨基萘和2,6-二氨基蒽醌中的一种或多种;所述稠环二酐为1,4,5,8-萘四甲酸二酐和二萘嵌苯-3,4,9,10-四甲酸二酐中的一种或两种;

进一步,所述非质子极性溶剂为N,N-二甲基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺。

进一步,所述S1中的反应温度为15-25℃,所述稠环二酐分三个批次加入,且第一批次加入的稠环二酐的摩尔量等于稠环二胺的总摩尔量的90%,第三批次加入的稠环二酐的摩尔量小于等于稠环二胺的总摩尔量的1%;每批次加入稠环二酐后的反应时间为30min。

进一步,所述S1中得到的聚酰胺酸溶液的固含量为15-20wt%,粘度为1000-2200泊。

进一步,所述纳米导热填料为纳米氮化硼、纳米氧化镁、纳米氧化铝中的一种,纳米导热填料的平均粒径为30nm。

进一步,所述S3中的干燥温度为140-180℃,干燥时间为10-20min;亚胺化温度为400-450℃,亚胺化时间为3-5min。

本发明优点如下:

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