[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201810730032.5 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109119514B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述接触层为P型掺杂的氮化物；
对所述接触层的表面进行电子辐照，增加所述接触层中的氮空位；所述电子辐照是采用高能电子束照射材料，所述电子束采用200千电子伏特的透射电子显微镜提供，所述透射电子显微镜的电源电压为10万伏～30万伏；增加所述接触层中的氮空位，用于促进所述P型掺杂剂的并入；
对所述接触层进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，电子辐照的辐射剂量为1016/cm2～1022/cm2。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述电子束的直径为8μm～30μm。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，退火处理的温度为700℃～900℃。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述接触层在进行退火处理时处于氮气气氛中。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述氮气气氛的真空度为10-8Torr～10-6Torr。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，退火处理的时长为15min～50min。
8.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述接触层的表面为经过电子辐照处理和退火处理的表面；所述电子辐照是采用高能电子束照射材料，所述电子束采用200千电子伏特的透射电子显微镜提供，所述透射电子显微镜的电源电压为10万伏～30万伏；增加所述接触层中的氮空位，用于促进所述P型掺杂剂的并入。
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