[发明专利]测定装置在审
申请号: | 201810723276.0 | 申请日: | 2018-07-04 |
公开(公告)号: | CN109211828A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 节田和纪;千田直道 | 申请(专利权)人: | 横河电机株式会社 |
主分类号: | G01N21/3563 | 分类号: | G01N21/3563;G01N21/359 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 鹿屹;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查对象物 电磁波 测定装置 聚光面 入射角 检测结果 反射面 聚光部 引导的 照射部 检测 对置 入射 照射 | ||
1.一种测定装置,基于透过了检查对象物后的电磁波的检测结果来测定所述检查对象物的特性,其特征在于,
所述测定装置具备:
照射部,对所述检查对象物照射电磁波;
聚光部,具有将透过了所述检查对象物后的电磁波中的、相对于与所述检查对象物对置的入射端的入射角为规定的入射角以内的电磁波朝聚光面引导的反射面;以及
检测部,检测被引导至所述聚光面后的电磁波。
2.根据权利要求1所述的测定装置,其特征在于,
所述聚光面是与所述检测部对置的射出端处的开口面。
3.根据权利要求1或2所述的测定装置,其特征在于,
所述反射面的形状为复合抛物面。
4.根据权利要求1或2所述的测定装置,其特征在于,
所述聚光部的入射端的开口面积比所述检测部被电磁波照射到的照射面积大。
5.根据权利要求1或2所述的测定装置,其特征在于,
所述检查对象物的形状为片状。
6.根据权利要求1或2所述的测定装置,其特征在于,
所述电磁波是包含多个波长分量的红外线、可见光线或者紫外线,
所述特性是所述检查对象物所包含的液体的量或者率。
7.根据权利要求6所述的测定装置,其特征在于,
所述电磁波包含:
第1波长分量,与因所述检查对象物的主成分导致的吸收率相比,因所述检查对象物所包含的所述液体导致的吸收率高;
第2波长分量,与因所述液体导致的吸收率相比,因所述主成分导致的吸收率高;以及
第3波长分量,因所述液体导致的吸收率比所述第1波长分量低、且因所述主成分导致的吸收率比所述第2波长分量低。
8.根据权利要求2所述测定装置,其特征在于,
所述聚光部的所述入射端的形状以及所述射出端的形状为同心圆,
所述聚光部的所述入射端的半径大于所述聚光部的所述射出端的半径。
9.根据权利要求8所述的测定装置,其特征在于,
当将所述聚光部的所述射出端的半径设为d1、将所述聚光部的所述入射端的半径设为d2、将使得由所述反射面反射后的所述电磁波能够从所述射出端射出的角度亦即允许受光角设为θ、将所述聚光部的厚度设为L时,
L=(d1+d2)cotθ。
10.根据权利要求9所述的测定装置,其特征在于,
所述检测部具备接受从所述聚光部的所述射出端射出的所述电磁波的受光元件,
所述受光元件设置在如下的位置,即:所述受光元件的受光面与所述电磁波的光轴垂直、且所述受光元件的中心位于所述光轴的延长线上。
11.根据权利要求10所述的测定装置,其特征在于,
当将所述受光元件的半径设为R时,
θ=tan-1(R/L)。
12.根据权利要求10所述的测定装置,其特征在于,
所述聚光部的所述射出端的半径为所述受光元件的表面的半径以下。
13.根据权利要求10所述的测定装置,其特征在于,
所述受光元件为以硫化铅作为主成分的光导电元件亦即PbS元件、以锗作为主成分的光导电元件亦即Ge元件、以及以铟、镓和砷作为主成分的三元混晶半导体元件亦即InGaAs元件中的任一个。
14.根据权利要求1或2所述的测定装置,其特征在于,
所述测定装置还具备内表面反射镜,该内表面反射镜配设在所述照射部与所述检查对象物之间,是使从所述照射部射出的所述电磁波多重反射而使其强度分布均匀化的多边形状的光学元件。
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