[发明专利]一种基质包架空地埋越冬栽培系统及方法

权利要求书

1.一种基质包架空地埋越冬栽培系统，包括基质沟槽，放置于基质沟槽内的基质包，所述基质沟槽的槽壁上覆有保温膜或者保温板，其特征在于|：所述基质沟槽的槽底部设有架空件，所述基质包架空放置于所述架空件上，所述基质包的架空高度为70-100mm，所述基质沟槽的槽底部和所述基质包的底部之间形成储液层，所述储液层的液面高度低于所述基质包的架空高度；

所述基质沟槽的敞开顶部覆盖有利于所述基质沟槽的内部接受太阳热辐射而升温的透光膜或透光板。

2.如权利要求1所述的一种基质包架空地埋越冬栽培系统，其特征在于：所述架空件包括两根木棍，两根所述木棍分别沿所述基质沟槽的长度方向设置，且两根木棍沿所述基质沟槽的宽度方向并排且相间设置，所述基质包跨设于两根所述木棍之上，所述木棍的直径为70-100mm。

3.如权利要求2所述的一种基质包架空地埋越冬栽培系统，其特征在于：所述基质沟槽内设有位于所述基质包上方的水肥一体化滴灌装置，所述水肥一体化滴灌装置具有复数个出液滴头，所述出液滴头与所述基质包一一对应设置。

4.如权利要求2所述的一种基质包架空地埋越冬栽培系统，其特征在于：所述基质包内插设有EC值传感器，并且该EC值传感器位于根系周围。

5.如权利要求2所述的一种基质包架空地埋越冬栽培系统，其特征在于：所述基质沟槽的宽度为600mm，深度为350mm；所述基质包的长宽高相应为300*300*250mm。

6.一种基质包架空地埋越冬栽培方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)于保护地开设基质沟槽，于基质袋内装填有机基质，形成基质包，在基质沟槽的槽壁上覆设保温膜或保温板；

(2)在基质沟槽的槽底部上放置架空件，将基质包架空放置于架空件上，基质沟槽的槽底部与基质包底部之间形成储液层，在基质包的上方安装水肥一体化滴灌装置；

(3)将EC值传感器插设于基质包内，通过水肥一体化滴灌装置往基质包内滴液，使得有机基质的水分含量为60-70％，有机基质中多余的水滴漏于储液层内；

(4)在基质沟槽的敞开顶部覆盖透光膜或透光板，完成栽植的前期工作；

(5)在栽培过程中保持基质包内的有机基质的水分含量为60～70％，储液层内的液面高度低于基质包的架空高度；当EC值传感器测得的EC值小于0.7ms/cm时，根据栽培植株种类的不同，以及生长时期的不同滴入设定溶度的营养液。

7.如权利要求6所述的一种基质包架空地埋越冬栽培方法，其特征在于：步骤(5)中，储液层内的液体白天受太阳热辐射而温度升高，在夜间时，储液层内的液体的热量散发于基质沟槽的密闭空间内。

8.如权利要求7所述的一种基质包架空地埋越冬栽培方法，其特征在于：

步骤(2)中，架空件选用直径为70-100mm的木棍，取两根木棍分别沿基质沟槽的长度方向放置于基质沟槽的槽底部，并且两根木棍沿基质沟槽的宽度方向并排且相间设置，基质包跨置于并排设置的两根木棍之上。

9.如权利要求6所述的一种基质包架空地埋越冬栽培方法，其特征在于：栽培植株为茄果或者瓜果。

10.如权利要求9所述的一种基质包架空地埋越冬栽培方法，其特征在于：当栽培植株为水果黄瓜时，其果实发育周期为8天。