[发明专利]一种像素电路、显示屏及电子设备在审

专利信息
申请号: 201810719226.5 申请日: 2018-07-03
公开(公告)号: CN108877655A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 孙丽娜 申请(专利权)人: 深圳吉迪思电子科技有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208
代理公司: 苏州集律知识产权代理事务所(普通合伙) 32269 代理人: 安纪平
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 驱动晶体管 开关晶体管 第一开关 像素电路 一端连接 晶体管 漏电 电子设备 反馈电路 电容 显示屏 寄生二极管 连接点处 微显示器 有效解决 栅极电压 数据线 硅基 电源 反馈
【说明书】:

发明揭示了一种像素电路、显示屏及电子设备,像素电路包括驱动晶体管、第一开关晶体管、第二开关晶体管、电容以及反馈电路,第一开关晶体管的一端连接一数据线,另一端通过第二开关晶体管连接驱动晶体管的栅极,电容的一端连接驱动晶体管的栅极,另一端连接一电源,反馈电路在驱动晶体管工作时,将驱动晶体管的栅极电压反馈至第一开关晶体管和第二开关晶体管的连接点处。本发明在不改变CMOS工艺的条件下,有效解决了开关晶体管和寄生二极管漏电,以及漏电导致的亮度和对比度下降的问题,适用于硅基OLED微显示器。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其是涉及一种像素电路、显示屏及电子设备。

背景技术

像素电路,通常被布置在以行方向排列的用于提供控制信号的扫描线Vsel和以列方向排列的用于提供数据信号的数据线Vdata相互交叉之处,通过电流或者电压驱动每个像素内的发光器件发光。结合图1和图2所示,一种像素电路结构,其包括开关晶体管T1、驱动晶体管T2,电容Cs,以及发光器件。开关晶体管T1和驱动晶体管T2可以选自PMOS、NMOS管中的一种。图1所示的像素电路中开关晶体管T1和驱动晶体管T2均为PMOS管。

对于硅基OLED微显示器,像素尺寸较小,每个子像素尺寸约为9um×3um。当在硅基OLED微显示器集成更多的MOS管和电容时,电容会很小。硅基OLED微显示器的工作分为两个阶段:数据写入阶段和发光器件发光阶段。当处于数据写入阶段时,扫描线Vsel为低电平,此时开关晶体管T1闭合,数据线Vdata上的电压通过开关晶体管T1在较短的时间内写入到像素电路中并保存在电容Cs上。当处于发光器件发光阶段时,扫描线Vsel为高电平,开关晶体管T1断开,驱动晶体管T2驱动发光器件发光。若刷新频率为60Hz,则发光时间通常为16.67ms。

发光器件发光过程中,流过发光器件的电流受存储在电容Cs上的电荷控制。理想情况下,在发光过程中电容Cs上的电荷不变,发光亮度能够完全受Vdata控制。如图1所示,当Vdata为0V时,流过发光器件的电流达到最大Imax。Vdata=Vdd(Vdd为驱动晶体管T2连接的电源电位)时,流过发光器件的电流达到最小Imin。对比度是屏幕上同一点最亮时(白色)与最暗时(黑色)的亮度的比值,高对比度意味着相对较高的亮度和呈现颜色的艳丽程度。由于发光器件的发光强度与流过它的电流成正比,因此Imax/Imin越高代表对比度越高。

然而,由于硅基OLED微显示器的像素尺寸较小,电容Cs受像素尺寸的限制存储的电荷很少。开关晶体管T1虽然在发光阶段处于关断状态,但是其漏电以及寄生二极管的漏电在pA(皮安)量级,漏电会导致存储在电容Cs上的电荷发生变化,导致在发光阶段时Imax不能保持恒定,电流慢慢减小,或者Imin不能保持恒定,电流慢慢变大,最终使得最高亮度降低以及对比度降低,影响显示效果。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种能够解决开关晶体管和寄生二极管漏电的问题,提高显示亮度和对比度的像素电路,还提供一种应用该像素电路的显示屏和电子设备。

为实现上述目的,本发明提出如下技术方案:一种像素电路,包括

驱动晶体管,所述驱动晶体管连接第一电源;

串联相接的第一开关晶体管和第二开关晶体管,所述第一开关晶体管连接一数据线,所述第二开关晶体管连接所述驱动晶体管;

电容,所述电容连接于所述驱动晶体管与所述第二开关晶体管的中间节点和第二电源之间;以及

反馈电路,所述反馈电路连接于所述第一开关晶体管与所述第二开关晶体管的中间节点和所述驱动晶体管之间,用于在所述驱动晶体管工作时将所述驱动晶体管的栅极电压反馈至所述第一开关晶体管与所述第二开关晶体管的中间节点处。

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