[发明专利]光耦测试装置

权利要求书

1.一种光耦测试装置，其特征在于，包括电源模块(1)、MCU模块(2)、通讯模块(3)、第一测试模块(4)、第二测试模块(5)和第三测试模块(6)；电源模块分别与MCU模块、通讯模块、第一测试模块、第二测试模块和第三测试模块电连接，MCU模块分别与通讯模块、第一测试模块、第二测试模块和第三测试模块电连接。

2.根据权利要求1所述的光耦测试装置，其特征在于，所述第一测试模块包括第一光耦Er4、双向稳压二极管D10、双向稳压二极管D11、三端可调电流源U19、多档开关SW4、多档开关SW5、二极管D1、低噪声运算放大器U23、电容C22、电容C7、电阻R32、电阻R33、电阻R79、电阻R80、电阻R49、电阻R50、电阻R43、电阻R44和电阻R45；第一光耦Er4分别与双向稳压二极管D10、双向稳压二极管D11、多档开关SW5和低噪声运算放大器U23电连接，双向稳压二极管D10与多档开关SW4电连接，多档开关SW5分别与双向稳压二极管D11、二极管D1的负极、低噪声运算放大器U23、电阻R50、电阻R43、电阻R44和电阻R45电连接，二极管D1的正极分别与电阻R49和三端可调电流源U19电连接，三端可调电流源U19分别与电容C7、电阻R32和电阻R33电连接，电阻R32和电阻R49电连接，电阻R33和电阻R50电连接，低噪声运算放大器U23与电阻R79电连接，电阻R79分别与电容C22和电阻R80电连接，电容C7、双向稳压二极管D10、双向稳压二极管D11、电容C22和电阻R80均接地。

3.根据权利要求1所述的光耦测试装置，其特征在于，所述第二测试模块包括第二光耦Er2、多档开关SW3、电阻R76、电阻R77、电阻R78、电阻R109和电容C48；多档开关SW3分别与第二光耦Er2、电源模块和电阻R76电连接，电阻R77分别与电阻R76和电阻R78电连接，电阻R78分别与电阻R109和电容C48电连接，电阻R109和电容C48均接地。

4.根据权利要求1所述的光耦测试装置，其特征在于，所述第三测试模块包括第三光耦Er3、模拟开关U28、双向稳压二极管D9、双向稳压二极管D12、滑动变阻器R61、电阻R51、电阻R62、电阻R63、电阻R106和电阻R107；第三光耦Er3分别与双向稳压二极管D9和双向稳压二极管D12电连接，双向稳压二极管D9分别与电阻R106和电阻R107电连接，双向稳压二极管D12分别与电阻R62、电阻R63和滑动变阻器R61电连接，电阻R51分别与模拟开关U28和滑动变阻器R61电连接，模拟开关U28、电阻R62、电阻R63、电阻R106和电阻R107均接地。

5.根据权利要求1所述的光耦测试装置，其特征在于，所述通讯模块包括通讯芯片U2、晶振Y、电容C2、电容CA3、电容CB1、电容CB2、电阻R34、电阻R46、电阻R47和电阻R60；通讯芯片U2分别与晶振Y、电容C2、电容CA3、电容CB1、电阻R47和电阻R60电连接，电容CB2分别与晶振Y和电容CB1电连接，电阻R47分别与电阻R34和电阻R46电连接，电容C2、电容CA3、电容CB1、电容CB2、电阻R46、电阻R47和通讯芯片U2均接地。

6.根据权利要求1所述的光耦测试装置，其特征在于，所述电源模块包括第一DC/DC转换模块(11)、第二DC/DC转换模块(12)和第三DC/DC转换模块(13)；第一DC/DC转换模块与第二测试模块电连接，第二DC/DC转换模块分别与第一测试模块、第二测试模块和第三测试模块电连接，第三DC/DC转换模块与MCU模块电连接。