[发明专利]一种超导磁体低温结构支撑杆有效

专利信息
申请号: 201810714414.9 申请日: 2018-06-29
公开(公告)号: CN108806917B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 张涛;宋天峰;赵正彪;李建志 申请(专利权)人: 苏州超磁半导体科技有限公司
主分类号: H01F6/00 分类号: H01F6/00
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 215002 江苏省苏州市张家港经济技术*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 超导 磁体 低温 结构 撑杆
【权利要求书】:

1.一种超导磁体低温结构支撑杆,其特征在于,包括:支撑吊耳(1)、预紧螺套(2)、杆端金属套(3)、球面结构(4)、弹性结构(5)、挡块(6)和杆体(7),其中,

所述预紧螺套(2)贯穿设置于所述支撑吊耳(1)的内部,并与所述支撑吊耳(1)通过螺纹连接;所述预紧螺套(2)的一端设有外端面(21),另一端设有所述挡块(6),所述外端面(21)上设有预紧孔(22);

所述杆体(7)的端部穿过所述挡块(6)设置于所述预紧螺套(2)的内部,并与所述挡块(6)之间设有间隙;

所述杆体(7)的端部设有所述杆端金属套(3),所述杆端金属套(3)的两端均为球面轮廓,每个所述球面轮廓均与一个所述球面结构(4)相贴合;

靠近所述挡块(6)的球面结构(4)和所述挡块(6)之间,以及,靠近所述外端面(21)的球面结构(4)和所述外端面(21)之间均设有一个所述弹性结构(5)。

2.一种超导磁体低温结构支撑杆,其特征在于,包括:支撑吊耳(1)、挡块(6)、杆体(7)、杆端金属套(3)、弹性结构(5)和至少两个预紧螺栓(8),其中,

所述预紧螺栓(8)依次穿过所述弹性结构(5)和所述挡块(6),与所述支撑吊耳(1)通过螺纹连接;其中,所述预紧螺栓(8)与所述挡块(6)之间设有间隙,每一个所述预紧螺栓(8)对应一个所述弹性结构(5);

所述杆体(7)的端部穿过所述挡块(6),并与所述挡块(6)之间设有间隙;所述杆体(7)的端部设有所述杆端金属套(3),所述杆体(7)通过所述杆端金属套(3)与所述挡块(6)卡接;

所述杆端金属套(3)靠近所述挡块(6)的一端为球面轮廓,所述挡块(6)上设有与所述球面轮廓匹配的球面结构(4)。

3.一种超导磁体低温结构支撑杆,其特征在于,包括:支撑吊耳(1)、挡块(6)、杆体(7)、杆端金属套(3)、弹性结构(5)和至少两个预紧螺栓(8),其中,

所述预紧螺栓(8)依次穿过所述弹性结构(5)和所述挡块(6),与所述支撑吊耳(1)通过螺纹连接;其中,所述预紧螺栓(8)与所述挡块(6)之间设有间隙,每一个所述预紧螺栓(8)对应一个所述弹性结构(5);

所述杆体(7)的端部穿过所述支撑吊耳(1),并与所述支撑吊耳(1)之间设有间隙;所述杆体(7)的端部设有杆端金属套(3),所述杆体(7)通过所述杆端金属套(3)与所述挡块(6)卡接;

所述杆端金属套(3)靠近所述挡块(6)的一端为球面轮廓,所述挡块(6)上设有与所述球面轮廓匹配的球面结构(4)。

4.一种超导磁体低温结构支撑杆,其特征在于,包括:支撑吊耳(1)、挡块(6)、杆体(7)、杆端金属套(3)、弹性结构(5)和至少四个预紧螺栓(8),其中,

所述支撑吊耳(1)的两侧分别设有一个所述挡块(6),每一个所述挡块(6)上至少设有两个所述预紧螺栓(8);

所述预紧螺栓(8)依次穿过所述弹性结构(5)和一个所述挡块(6),与所述支撑吊耳(1)的一侧通过螺纹连接;所述预紧螺栓(8)依次穿过所述弹性结构(5)和另一个所述挡块(6),与所述支撑吊耳(1)的另一侧通过螺纹连接;其中,所述预紧螺栓(8)与所述挡块(6)之间设有间隙,每一个所述预紧螺栓(8)对应一个所述弹性结构(5);

所述杆体(7)的端部穿过一个所述挡块(6)和支撑吊耳(1),并与所述挡块(6)之间设有间隙;所述杆体(7)的端部设有杆端金属套(3),所述杆体(7)通过所述杆端金属套(3)与每个所述挡块(6)卡接;

所述杆端金属套(3)的两端均为球面轮廓,每个所述挡块(6)上均设有与所述球面轮廓匹配的球面结构(4)。

5.根据权利要求1-4任一项所述的支撑杆,其特征在于,所述杆体(7)的材质为CFRP或者GFRP。

6.根据权利要求1-4任一项所述的支撑杆,其特征在于,所述弹性结构(5)为圆柱螺旋弹簧、蝶形弹簧或者波形弹簧。

7.根据权利要求1-4任一项所述的支撑杆,其特征在于,所述杆端金属套(3)和所述杆体(7)通过螺纹连接或者焊接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州超磁半导体科技有限公司,未经苏州超磁半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810714414.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top