[发明专利]一种降低区熔单晶碳含量的预热装置在审
| 申请号： | 201810712641.8 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109023506A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;郝大维;刘愿;赵闯;吴峰;代长雷;孙晨光;王彦君;孙健 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/16 | 分类号： | C30B13/16;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 杨慧玲 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 预热环 单晶 预热装置 碗状凹槽 石英 隔片 圆柱体结构 单晶硅 表面环形 向下凹陷 预热效果 上顶面 碳污染 多晶 母料 熔区 通孔 吸附 超标 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低区熔单晶碳含量的预热装置，其特征在于：包括石墨预热环(1)及石英隔片(2)；所述石墨预热环(1)为圆柱体结构，其上顶面设有向下凹陷的碗状凹槽(3)，所述碗状凹槽(3)的底部设有通孔(4)；所述石墨预热环(1)表面安装有所述石英隔片(2)。
2.根据权利要求1所述的降低区熔单晶碳含量的预热装置，其特征在于：所述石墨预热环(1)的环形上沿上包裹有所述石英隔片(2)。
3.根据权利要求2所述的降低区熔单晶碳含量的预热装置，其特征在于：所述碗状凹槽(3)的表面包裹有所述石英隔片(2)。
4.根据权利要求1所述的降低区熔单晶碳含量的预热装置，其特征在于：所述石墨预热环(1)的环形上沿与所述碗状凹槽(3)上边缘相接的位置处包裹有一圈所述石英隔片(2)。
5.根据权利要求1所述的降低区熔单晶碳含量的预热装置，其特征在于：所述石英隔片(2)将所述石墨预热环(1)的表面完全覆盖。
6.根据权利要求1到5任一项所述的降低区熔单晶碳含量的预热装置，其特征在于：所述石墨预热环(1)的外径为135mm，所述碗状凹槽(3)碗口处的直径为115mm，所述通孔(4)的直径为30mm。
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