[发明专利]一种隔离膜及其制备方法和含有该隔离膜的电化学装置

权利要求书

1.一种隔离膜，包括具有多孔结构的基材，其特征在于，

在所述基材至少一侧的表面上设置有仅部分覆盖所述表面的无机层，所述无机层由若干个非连续区域组成，所述无机层以非连续的岛状或片状膜层形式分布在所述基材表面，所述无机层采用气相沉积法通过图案化的掩膜或挡板的方式在基材上形成，且单位面积所述基材表面所述无机层的非连续区域的个数为100个/mm²至2000 个/mm²；

所述无机层含有无机介电材料且不含粘结剂；并且

在所述无机层覆盖的表面部分所对应的所述基材内部区域，所述无机层至少覆盖一部分所述基材内部孔隙的表面。

2.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，在所述无机层覆盖的表面部分，所述无机层沿所述基材表面延伸，并且仍然保持所述基材的孔洞形态。

3.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述基材内部孔隙表面覆盖有无机层的部分基材的厚度为所述基材的总厚度的0.4%至40%。

4.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述隔离膜的透气度G1与所述基材的透气度G2的比值满足：1G1/G2≤3。

5.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，在90℃下单独放置1小时后，所述隔离膜在横向和纵向的热收缩率低于3%。

6.根据权利要求5所述的隔离膜，其特征在于，在90℃下单独放置1小时后，所述隔离膜在横向和纵向的热收缩率低于2%。

7.根据权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述隔离膜在横向和纵向方向的拉伸强度不低于2000 kgf/cm²。

8.根据权利要求1-7任一项所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层的厚度为5nm至1000nm。

9.根据权利要求8所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层的厚度为10nm至500nm。

10.根据权利要求9所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层的厚度为20nm至200nm。

11.根据权利要求1、3-7任一项所述的隔离膜，其特征在于，所述非连续无机层在所述基材外侧覆盖的总面积相对于整个基材外侧面积的比例为0.4至0.9。

12.根据权利要求1-7任一项所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层为纳米团簇堆积的多孔结构，所述纳米团簇之间形成供离子穿梭的孔隙，所述孔隙的平均孔径为0.1nm至20nm。

13.根据权利要求1-7任一项所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层中含有AlO_x作为所述无机介电材料，其中1.45≤x≤1.55。

14.根据权利要求13所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层中AlO_x的质量占所述无机层质量的50%至100%。

15.根据权利要求14所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层中AlO_x的质量占所述无机层质量的80%至100%。

16.根据权利要求13所述的隔离膜，其特征在于，所述无机层中还含有Si的氧化物、Si的氮化物、Ti的氧化物、Ti的氮化物、Zn的氧化物、Zn的氮化物、Mg的氧化物、Mg的氮化物、Zr的氧化物、Zr的氮化物、Ca的氧化物、Ca的氮化物、Ba的氧化物、Ba的氮化物中的至少一种。