[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号: | 201810710162.2 | 申请日: | 2018-07-02 |
| 公开(公告)号: | CN108803173B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
| 发明(设计)人: | 蒋学兵 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板,所述衬底基板具有显示区域和非显示区域;
在所述衬底基板的非显示区域上设置有多个虚拟像素单元,所述多个虚拟像素单元围绕所述衬底基板的显示区域的周围;
所述衬底基板上还设置有多条平行布置的栅线,所述多个虚拟像素单元包括:排布方向与所述栅线的延伸方向平行的多个第一虚拟像素单元,每个所述第一虚拟像素单元包括公共电极、薄膜晶体管TFT和像素电极;
在每个第一虚拟像素单元中,所述像素电极与所述TFT连接,所述像素电极与所述公共电极不连接;
每个所述第一虚拟像素单元还包括辅助电极,所述像素电极在衬底基板上的正投影与所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域;
所述衬底基板的非显示区域上还设置有第一公共电极线,所述第一公共电极线分别与所述辅助电极与所述公共电极连接,在每个所述第一虚拟像素单元中,所述像素电极位于所述辅助电极与所述公共电极之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述栅线、所述辅助电极和所述第一公共电极线同层设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述阵列基板还包括:在所述像素电极与所述公共电极之间设置的钝化层,以及在所述像素电极与所述辅助电极之间设置的栅极绝缘层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
所第一公共电极线与所述公共电极通过第一过孔连接,所述第一过孔依次穿过所述钝化层和所述栅极绝缘层。
5.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板,其特征在于,
所述阵列基板中的公共电极为板状结构。
6.根据权利要求1至4任一所述的阵列基板,其特征在于,
在所述衬底基板上依次设置有:栅极图形、栅极绝缘层、有源层图形、源漏极图形、所述像素电极、钝化层和所述公共电极;
其中,所述栅极图形包括:所述栅线和所述TFT中的栅极,所述源漏极图形包括:所述TFT中的源极和漏极,在每个所述第一虚拟像素单元中,所述像素电极与所述TFT中的源极或漏极连接。
7.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板的非显示区域上形成多个虚拟像素单元,所述多个虚拟像素单元围绕在所述阵列基板的显示区域的周围;
在所述衬底基板上形成多条平行布置的栅线,所述多个虚拟像素单元包括:排布方向与所述栅线的延伸方向平行的多个第一虚拟像素单元,每个所述第一虚拟像素单元包括公共电极、薄膜晶体管TFT和像素电极;
在每个第一虚拟像素单元中,所述像素电极与所述TFT连接,所述像素电极与所述公共电极不连接;
每个所述第一虚拟像素单元还包括辅助电极,所述像素电极在衬底基板上的正投影与所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域;
在所述衬底基板的非显示区域上形成有第一公共电极线,所述第一公共电极线分别与所述辅助电极与所述公共电极连接,在每个所述第一虚拟像素单元中,所述像素电极位于所述辅助电极与所述公共电极之间。
8.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求1至6任一所述的阵列基板。
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