[发明专利]数据储存装置以及非挥发式存储器操作方法

说明书

本发明涉及一种数据储存装置的复电技术，尤其涉及数据储存装置以及非挥发式存储器操作方法。该数据储存装置具有一非挥发式存储器以及一控制单元。该非挥发式存储器藉由单发完成写入操作接收数据。各单发完成写入操作写入N页数据。N为大于1的数字。于复电该数据储存装置时，该控制单元令该非挥发式存储器断电前使用的一主动区块的一最末页指标指向一回单发完成写入操作写入的N页数据中的最末页。

技术领域

本发明有关于数据储存装置以及其中非挥发式存储器的操作方法。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存。

然而，非挥发式存储器的写入操作可能被非预期断电中断。为确保数据可靠度，数据储存装置的复电程序为本技术领域一项重要课题。

发明内容

本发明在数据储存装置复电时，基于单发完成写入操作(one shot programming)之尺寸进行数据可靠度判断。

根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制单元。该非挥发式存储器藉由单发完成写入操作接收数据。各单发完成写入操作写入N页数据。N为大于1的数字。该数据储存装置复电时，控制单元令该非挥发式存储器断电前使用的一主动区块的一最末页指标指向一回单发完成写入操作写入的N页数据中的最末页。

本发明另一种实施方式提出一种非挥发式存储器操作方法，包括：令一非挥发式存储器藉由单发完成写入操作接收数据，各单发完成写入操作写入N页数据，N为大于1的数字；以及于该数据储存装置复电时，令该非挥发式存储器断电前使用的一主动区块的一最末页指标指向一回单发完成写入操作写入的N页数据中的最末页。

一种实施方式中，该最末页指标所指空间对应的单发完成写入操作的N页数据须进行错误校验。错误校验失败时，该最末页指标需校正，指向更前一回单发完成写入操作写入的N页数据中的最末页。

一种实施方式中，该最末页指标确定后，该最末页指标所指空间对应的单发完成写入操作的N页数据是否受断电波及也需要再做判断，以搬移之。

一种实施方式中，该最末页指标所指的空间若不接续空页，则不搬移该最末页指标所指空间对应的单发完成写入操作的N页数据。

一种实施方式中，该最末页指标所指空间对应的单发完成写入操作的映射资讯若已封存，则不搬移该最末页指标所指空间对应的单发完成写入操作的N页数据。

一种实施方式中，该最末页指标确定后，该最末页指标所指空间对应的单发完成写入操作的N页数据若已被更新或搬移，则不做搬移。

下文特举实施例，并配合附图，详细说明本发明内容。

附图说明

图1以方块图图解根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置100，其中包括快闪存储器102以及控制单元104；

图2为流程图，图解根据本发明一种实施方式所实现的一复电程序，其中更包括不可靠数据的判断以及搬移(步骤S208以及S212)；

图3以图例说明图2流程；

图4另举一例说明不可靠数据的搬移步骤S212的例外状况；

图5另举一例说明不可靠数据的搬移步骤S212的例外状况。

符号说明

100～数据储存装置；