[发明专利]GOA电路结构

权利要求书

1.一种GOA电路结构，其特征在于，包括基板(10)及设于基板(10)上的多个连接单元(1)，每一个连接单元(1)均包括：位于所述基板(10)上的第一电极(20)、设于所述第一电极(20)和基板(10)上的第一绝缘层(30)、设于所述第一绝缘层(30)上的第二电极(40)、设于所述第二电极(40)及第一绝缘层(30)上的钝化层(50)以及设于所述钝化层(50)上的连接电极(60)；

所述第一电极(20)通过至少一个同时穿过所述第一绝缘层(30)和钝化层(50)的第一过孔(71)与所述连接电极(60)电性连接，所述第二电极(40)通过穿过所述钝化层(50)的至少一个第二过孔(72)与所述连接电极(60)电性连接，从而通过所述连接电极(60)电性连接所述第一电极(20)和第二电极(40)；

不同连接单元(1)中的第一电极(20)和第二电极(40)之间的连接阻抗相等。

2.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，每一个连接单元(1)还包括与所述第一电极(20)同层设置的第一栅极(21)和第二栅极(22)以及与所述第二电极(40)同层设置的第一源极(41)、第一漏极(42)、第二源极(43)和第二漏极(44)；

所述第一栅极(21)和第二栅极(22)间隔排列，所述第一源极(41)、第一漏极(42)、第二源极(43)及第二漏极(44)间隔排列；

所述第一电极(20)与所述第一栅极(21)电性连接，所述第二电极(40)与所述第二源极(43)或第二漏极(44)电性连接。

3.如权利要求2所述的GOA电路结构，其特征在于，每一个连接单元(1)还包括第一半导体岛(81)和第二半导体岛(82)，第一半导体岛(81)和第二半导体岛(82)分别位于所述第一栅极(21)和第二栅极(22)上的第一绝缘层(30)上，所述第一源极(41)和第一漏极(42)分别与所述第一半导体岛(81)的两端接触，所述第二源极(43)和第二漏极(44)分别与第二半导体岛(82)的两端接触。

4.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，每一个连接单元(1)中设有一个第一过孔(71)和一个第二过孔(72)，不同连接单元(1)中的第一过孔(71)的尺寸相同，不同连接单元(1)中的第二过孔(72)的尺寸相同。

5.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，每一个连接单元(1)中设有多个第一过孔(71)和多个第二过孔(72)，不同连接单元(1)中的第一过孔(71)的尺寸和数量均相同，不同连接单元(1)中的第二过孔(72)的尺寸和数量均相同。

6.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，不同连接单元(1)中的第一电极(20)的面积相等，不同连接单元(1)中第二电极(40)的面积相等，不同连接单元(1)中的连接电极(60)的面积相等。

7.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述第一过孔(71)和第二过孔(72)通过一道图案化制程同时形成。

8.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述第一电极(20)和第二电极(40)的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种的组合。

9.如权利要求1所述的GOA电路结构，其特征在于，所述连接电极(60)的材料为ITO。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的GOA电路结构。