[发明专利]远红外瓷砖的制备方法

权利要求书

1.一种远红外瓷砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

坯体成型，并将坯体置于150℃-200℃的条件下，干燥70min-100min；

在干燥后的坯体表面施底釉，并将施底釉后的坯体置于1200℃-1280℃的条件下，烧结30min-45min，得到素坯；

在素坯的表面施远红外面釉，并将施远红外面釉后的素坯置于600℃-1120℃的条件下，烧结60min-110min，得到半成品；

利用包括树脂磨块和弹性磨块的抛光线，对半成品进行抛光、磨边，得到成品；

对成品表面进行超洁亮处理，以使成品表面的光泽度达85度－95度，即得远红外瓷砖；

所述远红外面釉的组分包括氧化铝、氧化硅、氧化钙、氧化钾、氧化镁、氧化钡、氧化钠、及远红外添加剂，所述远红外添加剂的组分包括高岭土、长石、石英、纳米电气石、碳化锆、二氧化锆。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述远红外面釉的组分还包括脂肪醇磺酸盐和硅醇类非离子表面活性剂。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述远红外面釉的各组分的质量分数为：

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述脂肪醇磺酸盐的亲水疏水平衡值为8-10，所述硅醇类非离子表面活性剂的亲水疏水平衡值为9-16。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米电气石的组分包括：

纳米黑电气石50w％-75w％；

纳米锂电气石12w％-45w％；

纳米镁电气石3w％-25w％。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米电气石为改性纳米电气石。

7.如权利要求1至6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述将施远红外面釉后的素坯置于600℃-1120℃的条件下，烧结60min-110min，得到半成品的步骤，包括：

将施远红外面釉后的素坯升温至600℃，烧制2min-6min，使得坯体含水率降低至0.5％以下；

以10℃/min的升温速率，升温至890℃-1120℃；

以10℃/min的降温速率，降温至600℃；

冷却，得到半成品。

8.如权利要求1至6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述树脂磨块包括：5组150目的树脂磨块和3组180目的树脂磨块；

所述弹性磨块包括：5组180目的弹性磨块、10组240目的弹性磨块、5组300目的弹性磨块、5组400目的子弹性磨块、5组600目的弹性磨块、3组800目的弹性磨块、3组1000目的弹性磨块、3组1500目的弹性磨块、3组2000目的弹性磨块、4组3000目的弹性磨块。

9.如权利要求1至6中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述在素坯的表面施远红外面釉的步骤中，所述远红外面釉的流速为28s-32s，所述远红外面釉的比重为1.85g/ml-1.95g/ml，所述远红外面釉的施加量为1005g/m²-1020g/m²。

10.如权利要求1至6中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述在干燥后的坯体表面施底釉的步骤中，所述底釉的流速为28s-32s，所述底釉的比重为1.85g/ml-1.95g/ml，所述底釉的施加量为450g/m²-470g/m²，所述底釉的细度为经325目筛后干料重量百分比为0.4％-0.6％。