[发明专利]一种用于陶瓷电路基板BGA垂直互联的焊盘及制作方法

权利要求书

1.一种用于陶瓷电路基板BGA垂直互联的焊盘，其特征在于，包括凹坑、金属化种子层和金属化膜层，所述凹坑设于陶瓷电路基板表面，所述金属化种子层设于所述凹坑表面，所述金属化膜层设于所述金属化种子层表面。

2.根据权利要求1所述的用于陶瓷电路基板BGA垂直互联的焊盘，其特征在于，所述凹坑的直径长为0.05mm～1.0mm。

3.根据权利要求1所述的用于陶瓷电路基板BGA垂直互联的焊盘，其特征在于，所述凹坑的深度为0.003mm～0.2mm。

4.根据权利要求1所述的用于陶瓷电路基板BGA垂直互联的焊盘，其特征在于，所述金属化种子层组分为Ti/W/Au；所述金属化种子层厚度为150nm～400nm。

5.根据权利要求1所述的用于陶瓷电路基板BGA垂直互联的焊盘，其特征在于，所述金属化膜层组分为Ni/Au，或者Ni/Pd/Au；所述金属化膜层的厚度为1μm～6μm。

6.根据权利要求5所述的用于陶瓷电路基板BGA垂直互联的焊盘，其特征在于，所述Ni层厚度为1μm～5μm，所述Pd层厚度为0.05μm～0.5μm，所述Au层厚度为0.05μm～0.3μm。

7.权利要求1～6任一项所述的用于陶瓷电路基板BGA垂直互联的焊盘的制作方法，其特征在于，包括步骤：

1)在陶瓷电路基板表面加工凹坑；

2)在凹坑表面制作金属化种子层；

3)在金属化种子层表面制作金属化膜层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤1)所述凹坑的加工方法为数控钻铣或激光刻蚀法；步骤2)所述金属化种子层的加工方法为薄膜溅射法；步骤3)所述金属化膜层的加工方法为电镀法或化学镀法。

9.一种提高BGA球剪切强度的方法，其特征在于，利用权利要求1～7任一项所述的焊盘钳制BGA焊球，从而提高BGA球剪切强度。