[发明专利]一种异质结背接触太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结背接触太阳能电池，包括N型晶硅衬底(1)，所述N型晶硅衬底(1)的背光面上依次设置有第一本征非晶硅层(2)、第一掺杂非晶硅层(3)和电极层(4)，所述第一掺杂非晶硅层(3)包括交错排布的N型掺杂区(31)和P型掺杂区(32)，其特征在于，所述电极层(4)和所述第一掺杂非晶硅层(3)之间设有透明导电薄膜层(5)，所述透明导电薄膜层(5)包括依次设置在所述第一掺杂非晶硅层(3)上的第一薄膜层(51)和第二薄膜层(52)，所述第一薄膜层(51)的功函数大于所述第二薄膜层(52)的功函数，所述第一薄膜层(51)的功函数不小于5eV。

2.根据权利要求1所述的异质结背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一薄膜层(51)的功函数为5eV～6eV。

3.根据权利要求2所述的异质结背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一薄膜层(51)的材料为IZTO，所述第二薄膜层(52)的材料为ITO。

4.根据权利要求3所述的异质结背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一薄膜层(51)的厚度为80～120nm。

5.根据权利要求3所述的异质结背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二薄膜层(52)厚度为20～50nm。

6.根据权利要求1所述的异质结背接触太阳能电池，其特征在于，所述电极层(4)包括负电极(41)和正电极(42)，所述负电极(41)电性连接到所述N型掺杂区(31)，所述正电极(42)电性连接到所述P型掺杂区(32)。

7.根据权利要求1-6任一所述的异质结背接触太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括依次设置在所述N型晶硅衬底(1)的受光面上的第二本征非晶硅层(6)、第二掺杂非晶硅层(7)和减反射层(8)。

8.一种如权利要求1-7任一所述的异质结背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1、提供一N型晶硅衬底(1)，在所述N型晶硅衬底(1)的背光面和受光面分别制备形成第一本征非晶硅层(2)和第二本征非晶硅层(6)；

S2、在所述第一本征非晶硅层(2)上制备形成第一掺杂非晶硅层(3)；

S3、在所述第二本征非晶硅层(6)上制备形成第二掺杂非晶硅层(7)；

S4、在所述第二掺杂非晶硅层(7)上制备形成减反射层(8)；

S5、在所述第一掺杂非晶硅层(3)上制备形成透明导电薄膜层(5)；

S6、在所述透明导电薄膜层(5)上制备形成电极层(4)。

9.根据权利要求8所述的异质结背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S5具体包括：

S51、在所述第一掺杂非晶硅层(3)上采用低温PVD工艺制备形成第一薄膜层(51)；

S52、在所述第一薄膜层(51)上采用PVD工艺制备形成第二薄膜层(52)。

10.根据权利要求8所述的异质结背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

S21、在所述第一本征非晶硅层(2)上形成图形化的P型掺杂区(32)；

S22、对所述P型掺杂区(32)进行图形化遮挡；

S23、在所述第一本征非晶硅层(2)上形成图形化的N型掺杂区(31)。