[发明专利]一种阵列基板、显示面板及其制造方法、显示器及电子装置有效
申请号: | 201810700457.1 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN108899342B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 赵瑜 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 及其 制造 方法 显示器 电子 装置 | ||
1.一种阵列基板,所述阵列基板包括一第一区和一第二区,其特征在于,所述阵列基板包括:
一柔性衬底;
设于所述柔性衬底之上的第一层,所述第一层位于所述第一区上;
设于所述柔性衬底之上的第二层,所述第二层位于所述第一区上;以及,
设于所述第一层和所述第二层之间的无机绝缘层;
其中,所述无机绝缘层位于所述第一区上,而不位于所述第二区上,以仅保留所述无机绝缘层中起到绝缘作用的部分;
所述第一层包括有源层,所述第二层包括源/漏极,所述源/漏极贯穿所述有源层并与所述柔性衬底接触;
所述阵列基板还包括一有机介质层,所述有机介质层包括位于所述第二区的第一部分和位于所述无机绝缘层上的第二部分,所述第二区包括对应于一显示面板的非显示区的弯曲部分,所述第一区包括对应于所述显示面板的显示区并邻近所述弯曲部分的功能部分,所述阵列基板上设有邻近所述弯曲部分和所述功能部分的交界处的凹槽,所述凹槽贯穿所述有机介质层并暴露所述无机绝缘层。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一层与所述第二层之中有一层是一金属层。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二层包括一第一栅极,所述无机绝缘层包括设于所述有源层和所述第一栅极的第一栅极绝缘层。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一层还包括第二栅极,所述无机绝缘层还包括设于所述第一栅极和所述第二栅极之间的第二栅极绝缘层。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述源/漏极穿过所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层并连接于所述有源层,所述无机绝缘层还包括设于所述第二栅极和所述源/漏极之间的层间绝缘层,所述有机介质层的第二部分位于所述源/漏极与所述层间绝缘层之间。
6.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述柔性衬底与所述有源层之间的缓冲层,所述源/漏极贯穿所述有源层和所述缓冲层。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括对应于一显示面板的显示区的功能区,所述功能区包括所述第一区和所述第二区。
8.一种显示面板的制造方法,所述显示面板包括如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括一第一区和一第二区,所述制造方法包括:
S1: 提供一柔性衬底;以及,
S2:在所述柔性衬底上形成一有源层,所述有源层位于所述第一区上;
S3:在所述有源层上形成一第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层位于所述第一区上而不位于所述第二区上;
S4:在所述第一栅极绝缘层上形成一第一栅极,所述第一栅极位于所述第一区上;
S5:在所述第一栅极上形成一第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层位于所述第一区上而不位于所述第二区上;
S6:在所述第二栅极绝缘层上形成一第二栅极,所述第二栅极位于所述第一区上;
S7:在所述第二栅极上形成一层间绝缘层,所述层间绝缘层位于所述第一区上而不位于所述第二区上;
S8:在所述层间绝缘层上形成一有机介质层,所述有机介质层包括位于所述第二区的第一部分和位于所述层间绝缘层上的第二部分;以及,
S9:在所述有机介质层上形成源/漏极,所述源/漏极穿过所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层以及所述有源层并与所述柔性衬底接触,并且,所述源/漏极位于所述有机介质层的第二部分之上;
其中,所述第二区包括对应于一显示面板的非显示区的弯曲部分,所述第一区包括对应于所述显示面板的显示区并邻近所述弯曲部分的功能部分,所述阵列基板上设有邻近所述弯曲部分和所述功能部分的交界处的凹槽,所述凹槽贯穿所述有机介质层并暴露所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述层间绝缘层,以仅保留所述无机绝缘层中起到绝缘作用的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的