[发明专利]一种硫氧化菌培养和活性强化方法及应用有效
| 申请号： | 201810698985.8 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108823128B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 邢建民;郝学密;杨茂华;穆廷桢;江启沛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C12N1/20 | 分类号： | C12N1/20;C12P3/00;C12R1/63 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 培养 活性 强化 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种嗜盐嗜碱硫氧化菌Thioalkalivibrio versutus D301的培养方法，其特征在于，所述方法包括将嗜盐嗜碱硫氧化菌Thioalkalivibrio versutus D301接种于液体培养基中进行培养；
其中，所述液体培养基中Na+的浓度为1.0M-2.5M，SO42-的浓度为10g/L-100g/L。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液体培养基中Na+的浓度为1.6M-2.2M。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述液体培养基中Na+的浓度为1.6M-1.8M。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液体培养基中SO42-的浓度为50g/L-90g/L。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述液体培养基中SO42-的浓度为70g/L-90g/L。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述培养的温度为30-35℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述培养的时间为18-24h。
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