[发明专利]一种硒化锡薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810697022.6 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109023483A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 赵志国;李智昂;周毅平;张伟英;胡晓柯;付文文;范一丹;贾红 | 申请（专利权）人： | 洛阳师范学院 |
| 主分类号： | C25D13/02 | 分类号： | C25D13/02;C25D13/22;C25D13/12 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 单燕君 |
| 地址： | 471022 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 硒化 锡薄膜 薄膜制备技术 电化学 电化学法 光电薄膜 生产效率 仪器设备 低成本 低能耗 上电 沉积 薄膜 | ||
1.一种硒化锡薄膜，其特征在于，所述薄膜采用电化学法在ITO基片上电沉积制备而成。
2.一种硒化锡薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
（1）称取 10mg~30 mg 的 SnSe 粉末放入 30ml~100 mL 的丙酮中，使用超声波清洗机超声震荡 15min~20 min，形成黑褐色的悬浊液；
（2）将悬浊液平均倒入两只离心管中，放入离心机中离心，离心机的转速为 2000 ~5000 r/min，离心后取上层清液于 50 mL 的烧杯中；
（3）称取3mg~10 mg的碘粉加入到离心后得到的上层清液中并超声15-20min，使碘粉颗粒充分分散在丙酮中得到SnSe 粉末与碘的悬浊液；
（4）将需要沉积 SnSe 薄膜的 ITO 基片连接直流稳压电源的负极，将金属钛片连接直流稳压电源的正极，然后将金属钛片与 ITO 基片保持平行并浸没在SnSe 粉末与碘的悬浊液中；
（5）打开直流稳压电源，调节电压为 30-80 V，施加在 ITO 基片与金属钛片之间，反应时间为3min~8min；反应结束后将 ITO 基片取出烘干，用去离子水冲洗两至三次，去除薄膜表面的碘杂质，得到纯净的SnSe薄膜。
3.根据权利要求2所述的一种硒化锡薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）或（4）中调节悬浮液的pH为8.5-9。
4.根据权利要求2所述的一种硒化锡薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（5）中电压为35-55V。
5.根据权利要求2所述的一种硒化锡薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（5）中温度为35-42℃。
6.根据权利要求2所述的一种硒化锡薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中还加入3-5mg碘化钾和3-5mg的碳酸氢钠。
7.根据权利要求2所述的一种硒化锡薄膜的制备方法，其特征在于，离心机转速为3500-4000 r/min。
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