[发明专利]二次电池

权利要求书

1.一种二次电池，包括正极极片、负极极片、隔离膜以及电解液；

所述正极极片包括：

正极集流体；以及

正极膜片，设置于所述正极集流体表面且含有正极活性材料；

其特征在于，

所述电解液包括添加剂A以及添加剂B，所述添加剂A选自式1、式2所示的环状硫酸酯化合物的一种或几种，所述添加剂B选自二氟双草酸磷酸锂、四氟草酸磷酸锂中的一种或两种；在式1、式2中，m为1～3的整数，n为0～3的整数，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈各自独立地选自氢原子、卤素原子、腈基、羧基、磺酸基、C₁～C₂₀的烷烃基以及卤代烷烃基、C₂～C₂₀的不饱和烃基以及卤代不饱和烃基中的一种；

所述正极膜片远离正极集流体的表面上设置有无机介电层，所述无机介电层由无机介电材料组成且所述无机介电层的厚度为50nm～1000nm；

所述正极膜片内部远离正极集流体的至少一部分孔道结构内壁上也设置有由无机介电材料组成的无机介电层；

所述正极膜片内部孔道结构内壁上设置有无机介电层的部分正极膜片的厚度为所述正极膜片的总厚度的1/1000～1/10。

2.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，所述无机介电层由无机介电材料组成且所述无机介电层的厚度为100nm～600nm。

3.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，所述无机介电层由无机介电材料组成且所述无机介电层的厚度为200nm～500nm。

4.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，设置在所述正极膜片远离正极集流体的表面上的无机介电层通过气相沉积法形成。

5.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，

设置在所述正极膜片远离正极集流体的表面上的无机介电层为连续或非连续的层状形态。

6.根据权利要求5所述的二次电池，其特征在于，设置在所述正极膜片远离正极集流体的表面上的无机介电层为非连续的层状形态。

7.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，

所述正极膜片内部远离正极集流体的至少一部分孔道结构内壁上设置的无机介电层的无机介电材料的含量沿所述正极膜片靠近所述正极集流体的厚度方向梯度递减。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的二次电池，其特征在于，

所述正极极片单位面积可逆容量C_r与所述正极极片相同单位面积中无机介电材料重量M的比值满足：0.3mAh/mg≤C_r/M≤15mAh/mg。

9.根据权利要求8所述的二次电池，其特征在于，

所述正极极片单位面积可逆容量C_r与所述正极极片相同单位面积中无机介电材料重量M的比值满足：1.0mAh/mg≤C_r/M≤10mAh/mg。

10.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，

所述正极活性材料的分子式为Li_xNi_yCo_zM_kMe_pO_rA_m，0.95≤x≤1.05，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤k≤1，0≤p≤0.1，y+z+k+p＝1，1≤r≤2，0≤m≤2，m+r≤2，M选自Mn、Al中的一种或两种，Me选自Zr、Zn、Cu、Cr、Mg、Fe、V、Ti、Y、Nb中的一种或几种，A选自N、F、S、Cl中的一种或几种。