[发明专利]栅氧化层的制造方法有效
| 申请号： | 201810696546.3 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108878278B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 施洋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 制造 方法 | ||
1.一种栅氧化层的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一介质层，在所述第一介质层上涂布光刻胶并进行光刻形成光刻胶图形，所述光刻胶图形的覆盖区域为所述第一介质层的保留区域，所述光刻胶图形的打开区域为所述第一介质层的去除区域；
步骤二、以所述光刻胶图形为掩膜对所述第一介质层进行刻蚀并将所述光刻胶图形的打开区域的所述第一介质层都去除；
步骤三、将所述半导体衬底放置在去胶机台中进行去胶，在去胶的同时在所述第一介质层的保留区域外的所述半导体衬底表面形成栅氧化层；
步骤三中，去胶的工艺参数包括：
温度为250℃±20℃；
工艺气体包括：O2、H2和N2。
2.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。
3.如权利要求2所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于：所述第一介质层为由第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层叠加而成的ONO层。
4.如权利要求3所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于：所述ONO层作为SONOS器件的栅介质层。
5.如权利要求3所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于：步骤二中的刻蚀工艺为干法刻蚀。
6.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于：所述栅氧化层的氧化速率通过调节所述去胶的环境压力控制，所述栅氧化层的厚度为
7.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于：所述去胶的时间为60秒以内。
8.如权利要求1或6所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于：所述栅氧化层为MOS晶体管的栅氧化层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810696546.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：栅极环绕纳米片场效应晶体管及其制造方法
- 下一篇：去疵层形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
