[发明专利]一种金属氧化物叠层场效应材料的制备方法有效
| 申请号: | 201810695671.2 | 申请日: | 2018-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN108878264B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
| 发明(设计)人: | 吕正红;张涛;王登科 | 申请(专利权)人: | 云南大学 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 刘奇 |
| 地址: | 650000 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 金属 氧化物 场效应 材料 制备 方法 | ||
1.一种金属氧化物叠层场效应材料的制备方法,包括以下步骤:
采用真空气相沉积法在硅片衬底上依次层叠沉积厚度为2nm的MoO3薄膜、厚度为2 nm的Al薄膜和厚度为3 nm的MoO3薄膜,所述依次层叠的薄膜经氧化还原反应在所述硅片衬底上形成依次层叠的MoO2第一表层、Al2O3芯层和MoO2第二表层,所述MoO2第一表层的厚度为2nm,所述MoO2第一表层与硅片衬底接触;所述Al2O3芯层的厚度为2 nm;所述MoO2第二表层的厚度为3 nm;所述MoO2第一表层、Al2O3芯层和MoO2第二表层构成金属氧化物叠层场效应材料;其中,沉积所述Al薄膜的操作参数为:真空度为10-5 Pa,蒸距为30 cm,蒸发温度为750℃,蒸发电流为180 A,蒸发速率为1 Å/s;沉积所述MoO3薄膜的操作参数为:真空度为10-5Pa,蒸距为30 cm,蒸发温度为570 ℃,蒸发电流为4.5 A,蒸发速率为0.5 Å/s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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