[发明专利]图案化基板的制造方法及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种能够抑制多个凸部图案的变形的图案化基板的制造方法及半导体装置的制造方法。图案化基板的制造方法包括：准备工序，其准备曝光掩模，该曝光掩模具有多个内侧遮光部、与内侧遮光部的周边区域一体地连接的透光部、以及包围透光部的外侧遮光部；曝光工序，其使用曝光掩模，利用步进重复法对形成于基板的光刻胶层进行多次曝光，对光刻胶层进行多次曝光，以使内侧遮光部整体投影的内侧投影部配置为点阵状；显影工序，其在曝光工序后对光刻胶层进行显影；蚀刻工序，其将显影后的光刻胶层作为掩模，对基板进行蚀刻；在曝光工序中，对光刻胶层进行多次曝光，以在将规定的曝光中位于最外侧的一个内侧投影部、与配置在最接近其它的曝光中的多个内侧投影部之中规定的曝光中的一个内侧投影部的位置上的一个内侧投影部以最短距离连结的直线上，使与规定的曝光中的透光部对应的区域和与其它的曝光中的透光部对应的区域不重合，在其它的区域之中的至少一部分，使与规定的曝光中的透光部对应的区域和与其它的曝光中的透光部对应的区域重合。

技术领域

本申请涉及图案化基板的制造方法及半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体发光元件作为各种灯具的光源而被广泛利用。半导体发光元件在基板上具有外延生长的半导体层，由半导体层产生的光从基板侧、或与基板相反一侧的半导体层射出。

在半导体发光元件例如是氮化镓类半导体元件的情况下，因为半导体层的折射率大，所以，由于与半导体发光元件周围的大气等之间的较大的折射率差，而易于产生全反射，难以向半导体发光元件的外部输出光。因此，课题在于在具有上述半导体发光层的半导体发光元件中，使光的输出效率提高。

作为使光输出效率提高的方法，已知一种技术，其在使半导体层外延生长的基板的表面形成多个凸部(也有文献称为凹凸)，使从半导体层射出的光在基板的表面散射，由此使入射角小于全反射的临界角的光向外部射出。例如，设有上述多个凸部的蓝宝石基板被称为PSS(Patterned Sapphire Substrate：图案化蓝宝石基板)。专利文献1公开了制造能够抑制凹凸图案的变形的半导体基材的方法的一个例子。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2012-64902号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

设有多个凸部的基板不限于发光元件的制造，也能够作为光子器件、防反射结构、扩散结构而利用在各种领域中。本公开提供一种可抑制多个凸部图案的变形的图案化基板的制造方法及半导体装置的制造方法。

用于解决技术问题的技术方案

本公开的图案化基板的制造方法包括：准备工序，其准备曝光掩模，该曝光掩模具有配置为点阵状的多个内侧遮光部、将所述多个内侧遮光部各自的周边区域一体地连接的透光部、以及将所述透光部包围的外侧遮光部；曝光工序，其使用所述曝光掩模，利用步进重复法，对形成于基板上的光刻胶层进行多次曝光，并且为了使所述内侧遮光部所投影的内侧投影部整体配置为点阵状，而对所述光刻胶层进行多次曝光；显影工序，其在所述曝光工序后，对所述光刻胶层进行显影；蚀刻工序，其将显影后的所述光刻胶层作为掩模，对所述基板进行蚀刻；在所述曝光工序中，在将规定的曝光中的多个内侧投影部中的位于最外侧的一个内侧投影部与其它的曝光中的多个内侧投影部中的最接近所述规定的曝光中的所述一个内侧投影部而配置的一个内侧投影部以最短距离连结的直线上，使所述规定的曝光中的与所述透光部对应的区域和所述其它的曝光中的与所述透光部对应的区域不重合，另一方面，在其它区域中的至少一部分，使所述规定的曝光中的与所述透光部对应的区域和所述其它的曝光中的与所述透光部对应的区域重合，以该方式对所述光刻胶层进行多次曝光。

发明的效果

根据本公开，能够制造可抑制多个凸部图案的变形的图案化基板。

附图说明