[发明专利]霸王花组培快繁培养基

说明书

本发明公开了一种霸王花组培快繁培养基，包括初代培养基、继代培养基和生根培养基，其中初代培养基的配方为：硝酸钾5‑15mg/L、一水硝酸钙5‑15mg/L、七水硫酸亚铁5‑15mg/L、硝酸铵3‑8mg/L、无水硫酸镁3‑8mg/L、磷酸二氢钾3‑8mg/L、6‑BA 10‑20mg/L、NAA1‑3mg/L、葡萄糖25‑35mg/L、琼脂3‑6mg/L；继代培养基的配方为：MS+6‑BA 0.2‑1mg/L+NAA 0.2‑1mg/L；生根培养基的配方为：1/2MS+IBA0.1‑0.3mg/L。本发明所述培养基能够在较短时间内培育得到大量霸王花种苗。

技术领域

本发明涉及植物的组织培养技术，具体涉及霸王花组培快繁培养基。

背景技术

霸王花，也称剑花、七星剑花，为仙人掌科量天尺属多年生肉质多浆的攀缘草本植物，生长在高度400米至1300米的森林丘陵地上。原产于中南美洲地区的墨西哥和巴西，人工栽培历史已有几百年，我国主要分布在广东、广西。霸王花营养高、热量低,含有大量的药效成分，具有预防便秘、促进眼睛保健、抗氧化、抗自由基、抑制痴呆症等功效。

霸王花多用无性繁殖，如用茎扦插，具体是选择一年生以上肉茎，切成20-30厘米的段，斜插入土，深度5-10厘米为宜。虽一年四季均可种植，但是扦插的这种方法繁殖种苗易带毒、苗不整齐、不健壮，且劳动强度较大，难以在短时间内解决种苗供应紧缺的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能够在较短时间内培育得到大量霸王花种苗的霸王花组培快繁培养基。

本发明所述的霸王花组培快繁培养基，包括初代培养基、继代培养基和生根培养基，其中：

所述初代培养基的配方为：

硝酸钾5-15mg/L、一水硝酸钙5-15mg/L、七水硫酸亚铁5-15mg/L、硝酸铵3-8mg/L、无水硫酸镁3-8mg/L、磷酸二氢钾3-8mg/L、6-BA 10-20mg/L、NAA1-3mg/L、葡萄糖25-35mg/L、琼脂3-6mg/L，pH6.2-6.4；

所述继代培养基的配方为：

MS+6-BA 0.2-1mg/L+NAA 0.2-1mg/L，pH6.2-6.4；

所述生根培养基的配方为：

1/2MS+IBA0.1-0.3mg/L，pH6.2-6.4。

上述技术方案中，所述所述初代培养基的配方优选为：

硝酸钾10mg/L、一水硝酸钙10mg/L、七水硫酸亚铁10mg/L、硝酸铵5mg/L、无水硫酸镁5mg/L、磷酸二氢钾5mg/L、6-BA 15mg/L、NAA 2mg/L、葡萄糖30mg/L、琼脂4.8mg/L；

所述继代培养基的配方优选为：

MS+6-BA 0.5mg/L+NAA 0.5mg/L；

所述生根培养基的配方优选为：

1/2MS+IBA0.1mg/L。

上述技术方案中，霸王花在初代培养基、继代培养基和生根培养基中进行培养时的培养条件具体为：温度为25±5℃，相对湿度为40-60％，光照时间为12-18h/d，光照强度为1500-2000lx。其中在初代培养基中培养的时间为20-40天，即可得到嫩芽；在继代培养基中培养的时间为10-15天，即可得到丛生苗；在生根培养基中培养的时间为10-20天，即可得到3-5条根的生根苗。

上述技术方案中，以霸王花的茎尖或茎段作为外植体，经消毒处理后接种于初代培养基中进行培养，直至在外植体上诱导形成嫩芽。所述的消毒处理与现有技术相同。