[发明专利]一种减反射膜的制备方法及叠层太阳电池

权利要求书

1.一种减反射膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1:在衬底上制备绒度结构；

S2:在绒度结构表面均匀涂布一层固化胶；

S3:对固化胶进行固化处理；

S4:将绒度结构衬底与固化胶分离，得到具有绒度结构的减反射膜。

2.如权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的衬底为：硅片、玻璃、铝箔、铜箔、不锈钢板、PET、PEN或PDMS；所述绒度结构为周期性阵列结构或非周期性随机结构；所述绒度结构具体为：线状、柱状、碗状、金字塔状、花瓣状或羽翼状中的一种或两种以上的任意组合；所述绒度结构的微观尺寸为1nm-100μm，优选为1μm-10μm。

3.如权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中固化胶为：透明硅胶、透明灌封胶、透明水晶胶或紫外固化胶；所述涂布方法为：喷涂法、点胶机涂布法、旋涂法、刮涂法、狭缝涂布法、喷墨涂布法、倾倒涂布法、铸模涂布法、网版印刷法、胶版印刷法或凹版印刷法；所述减反射膜的厚度为0.05-5mm，优选为0.05-2mm；进一步优选为0.05-1mm。

4.如权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述固化胶由PDMS和固化剂以10：1体积比混合后组成。

5.如权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2涂布固化胶之前还包括对绒度结构表面进行处理，所述表面处理为：去离子水清洗、盐酸溶液清洗、氢氟酸溶液清洗、RCA清洗、紫外光处理、可见光处理或氢等离子体处理中的一种或两种以上的任意组合，处理时间10秒-30分钟，优选为0.5-5分钟。

6.如权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3进行固化处理之前还包括：抽真空静置5-60分钟，优选为静置10-30分钟，气压-100-100kPa，优选为0-10kPa。

7.如权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3的处理条件为：采用热固化时，气压-100-100kPa，优选为0-10kPa；温度20-200℃，优选为50-120℃，进一步优选为70-100℃；时间1分钟-24小时，优选为0.5-15小时，进一步优选为1-8小时；或者，采用光源固化时，处理时间0.5分钟-24小时，优选为1分钟-6小时，进一步优选为1-60分钟，所述光源为：点光源、脉冲光源、紫外灯或高密度灯。

8.如权利要求1所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S4之后，还包括对减反射膜进行表面处理，所述表面处理为：去离子水清洗、乙醇清洗、异丙醇清洗、乙二醇清洗、聚乙二醇清洗、盐酸溶液清洗、氢氟酸溶液清洗、RCA清洗、紫外光处理、可见光处理或氢等离子体处理中的一种或两种以上的任意组合，处理时间10秒-30分钟，优选为0.5-5分钟；其中的液体处理步骤优选在超声振荡及10-50℃条件下进行。

9.一种叠层太阳电池，其特征在于，所述叠层太阳电池包括由隧穿结连接的n个子电池，n为大于等于1的整数，其中：n个子电池中，顶电池受光面的透明电极上方包括如权利要求1至8任一项方法制备的减反射膜；优选减反射膜的绒面为受光面。

10.一种钙钛矿/硅叠层太阳电池，其特征在于，所述叠层太阳电池自下而上依次包括：(P1)硅异质结底电池：金属背电极/n型硅薄膜/本征钝化层/n型晶硅衬底/本征钝化层/p型硅薄膜；(P2)隧穿结：TCO或掺杂硅薄膜层；(P3)钙钛矿顶电池：ETL/钙钛矿/HTL；(P4)透明电极TCO，及正面金属电极；(P5)如权利要求1至8的任一项方法制备的减反射膜；优选减反射膜的绒面为受光面。