[发明专利]基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器在审
| 申请号： | 201810692086.7 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN108845385A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 林雨;王钦华;胡敬佩;徐铖 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G03F7/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙周强;陶海锋 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双层纳米 光栅 介质光栅 过渡层 像素结构 等离子 光栅线 金属层 偏振器 像素层 基元 取向 像素 单元阵列 低折射率 基底表面 纳米光栅 双层金属 凸起表面 制作工艺 像素块 占空比 引入 基底 刻蚀 制备 金属 | ||
1.一种基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先，基底清洗后制备过渡层；然后在过渡层表面利用光刻显影技术制备介质光栅；最后利用电子束蒸发镀膜技术制备金属层，得到所述基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器；所述基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器包括基底、过渡层以及像素层；所述像素层由超像素结构单元阵列组成；所述超像素结构单元包括0°取向的双层纳米光栅、45°取向的双层纳米光栅、135°取向的双层纳米光栅以及90°取向的双层纳米光栅；所述双层纳米光栅由介质光栅以及位于介质光栅的凹槽以及凸起表面的金属层组成；所述介质光栅的周期为260nm-300nm，占空比为0.5-0.7，厚度为90nm-110nm；所述金属层的厚度为70nm-90nm。
2.根据权利要求1所述基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器的制备方法，其特征在于：所述基底的厚度为0.5-1mm。
3.根据权利要求1所述基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器的制备方法，其特征在于：所述基体为半导体基底；所述过渡层为二氧化硅过渡层、氟化镁过渡层或者PMMA过渡层；所述过渡层光栅为二氧化硅介质光栅、氟化镁介质光栅或者PMMA介质光栅；所述金属为铝、银或者金。
4.根据权利要求3所述基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器的制备方法，其特征在于：所述基体为硅基底；所述过渡层为二氧化硅过渡层；所述过渡层光栅为二氧化硅介质光栅；所述金属为铝。
5.根据权利要求1所述基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器的制备方法，其特征在于：所述过渡层的厚度为200nm。
6.根据权利要求1所述基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器的制备方法，其特征在于：所述双层纳米光栅的周期为P=280nm，占空比为0.6，厚度为100nm；金属层的厚度为80nm。
7.根据权利要求1所述基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器的制备方法，其特征在于：所述基于等离子基元的像素式多取向双层纳米光栅线偏振器对应的工作波段为中红外波段。
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